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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> IR180LM04CS02CB
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IR180LM04CS02CB

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小16KB，共3页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IR180LM04CS02CB概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, WAFER

IR180LM04CS02CB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码WAFER
包装说明O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
相数1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Bulletin I0124J 07/97
IR180LM..CS02CB SERIES
FAST RECOVERY DIODES
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Square 180 mils
4"
200 to 600 V
Glassivated MOAT
Reference IR Packaged Part:
20ETF Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage Range
Units
1300 mV
200 to 600 V
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 20 A
T
J
= 25°C, I
RRM
= 100 µA
(1)
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
100% Al, (20 µm)
180 x 180 mils (4.57x4.57 mm) - see drawing
100 mm, with std. < 110 > flat
260 µm
45 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
1

IR180LM04CS02CB相似产品对比

IR180LM04CS02CB IR180LM06CS02 IR180LM06CS02CB IR180LM02CS02CB IR180LM04CS02 IR180LM02CS02
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, WAFER
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 WAFER WAFER WAFER WAFER WAFER WAFER
包装说明 O-XUUC-N S-XUUC-N1 O-XUUC-N O-XUUC-N S-XUUC-N1 S-XUUC-N1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compli
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XUUC-N S-XUUC-N1 O-XUUC-N O-XUUC-N S-XUUC-N1 S-XUUC-N1
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND SQUARE ROUND ROUND SQUARE SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 400 V 600 V 600 V 200 V 400 V 200 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅

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