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BUK9E3R7-60E,127

产品描述mosfet N-CH 60v 120a i2pak
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小212KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BUK9E3R7-60E,127概述

mosfet N-CH 60v 120a i2pak

BUK9E3R7-60E,127规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码TO-262
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
制造商包装代码SOT226
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)404 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)120 A
最大漏极电流 (ID)120 A
最大漏源导通电阻0.0037 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)293 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)758 A
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUK9E3R7-60E,127相似产品对比

BUK9E3R7-60E,127 934066631127
描述 mosfet N-CH 60v 120a i2pak 120A, 60V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code not_compliant unknow
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 404 mJ 404 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 120 A 120 A
最大漏源导通电阻 0.0037 Ω 0.0037 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 758 A 758 A
参考标准 AEC-Q101; IEC-60134 AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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