mosfet N-CH 60v 120a i2pak
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconductor |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | TO-262 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT226 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 404 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 120 A |
最大漏极电流 (ID) | 120 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 293 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 758 A |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
BUK9E3R7-60E,127 | 934066631127 | |
---|---|---|
描述 | mosfet N-CH 60v 120a i2pak | 120A, 60V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | unknow |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 404 mJ | 404 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 120 A | 120 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω | 0.0037 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 758 A | 758 A |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-60134 | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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