MH25708JA-10,MH25708JA-10 pdf中文资料,MH25708JA-10引脚图,MH25708JA-10电路-Datasheet-电子工程世界

MH25708JA-10: 产品描述DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30; 产品类别存储存储; 文件大小326KB，共9页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

下载文档详细参数选型对比全文预览

MH25708JA-10概述

DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30

MH25708JA-10规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SIMM
包装说明	, SIP30,.2
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	NIBBLE
最长访问时间	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30,.2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
座面最大高度	18.034 mm
最大压摆率	0.52 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	NMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

MH25708JA-10相似产品对比

	MH25708JA-10	MH25708J-85	MH25708J-10	MH25708J-15	MH25708J-12	MH25708JA-12	MH25708JA-15	BD90610HFP-E2
描述	DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30	DRAM Module, 256KX8, 85ns, NMOS, SIMM-30	DRAM Module, 256KX8, 100ns, NMOS, SIMM-30	DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30	DRAM Module, 256KX8, 120ns, NMOS, SIMM-30	DRAM Module, 256KX8, 120ns, NMOS, SIMM-30	DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30	1ch Step-Down Switching Regulator
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	-
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	-
包装说明	, SIP30,.2	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	, SIP30,.2	, SIP30,.2	-
针数	30	30	30	30	30	30	30	-
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
访问模式	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	-
最长访问时间	100 ns	85 ns	100 ns	150 ns	120 ns	120 ns	150 ns	-
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-
JESD-30 代码	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-N30	R-XSMA-N30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	R-XSMA-T30	-
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	-
内存集成电路类型	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	-
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	-
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	-
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	30	30	30	30	30	30	30	-
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	-
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装等效代码	SIP30,.2	SIM30	SIM30	SIM30	SIM30	SIP30,.2	SIP30,.2	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
刷新周期	256	256	256	256	256	256	256	-
座面最大高度	18.034 mm	17.272 mm	17.272 mm	17.272 mm	17.272 mm	18.034 mm	18.034 mm	-
最大压摆率	0.52 mA	0.56 mA	0.52 mA	0.44 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.44 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-
技术	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	-
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-

推荐资源

采样速率单位的问题: 问一个很low的问题，ADC采样速率10MSPS是每秒采样10M次的意思吗？...; CWRF 测试/测量

基于FIFO IDT7202-12的数字存储示波器: 基于FIFO IDT7202-12的数字存储示波器...; disheng DIY/开源硬件专区

【学模拟】+《运算放大器噪声优化手册》笔记05: [i=s] 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:34 编辑 [/i][font=宋体][size=10.5pt]分享相关视频，[/size]如何计算同相配置运算放大器的噪声[size=10.5pt]。[/size][/font][flash=510,498]player.youku./player.php/sid/XMjM2NzA4ODQ4/v.swf[/flash]...; wolf11111 模拟与混合信号

串行数据测试中的CDR: 在高速串行信号的眼图或抖动测试时，合理设置仪器的CDR（时钟与数据恢复）参数才能保证测量结果的有效性和准确性。...; 安_然测试/测量

求助电脑高手有关电脑重装系统后硬盘分区: 帮同事装双系统，win7 64位家庭版的系统下安装xp系统，我用diskgenius分区工具调整了某区参数，装完双系统后，D盘里面的资料还在，F盘打开失败，需要格式化操作，其他盘里面资料都空了，我没有对有文件的盘进行格式化操作，怎么找回丢失的文件，谢谢。...; 785180572 综合技术交流

关于MAPS-K64的UART串口通信得问题: [table=98%][tr][td]本人想用MAPS-K64和另外一块单片机进行UART的串口通信，想知道官方的demo里面哪些例程是可以直接使用或者修改的？或者有没有大神能提供一份相关的UART的程序？谢谢！[/td][/tr][/table]...; elephy NXP MCU

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多