Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> SST39WF800B-70-4I-MAQE

SST39WF800B-70-4I-MAQE: 产品描述flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash; 产品类别存储存储; 文件大小328KB，共33页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

SST39WF800B-70-4I-MAQE在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SST39WF800B-70-4I-MAQE	-	-	点击查看	点击购买

SST39WF800B-70-4I-MAQE概述

flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash

SST39WF800B-70-4I-MAQE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DSBGA
包装说明	VFBGA, BGA48,6X11,20
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
Factory Lead Time	6 weeks
最长访问时间	70 ns
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	6 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
部门数/规模	256
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA48,6X11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.73 mm
部门规模	2K
最大待机电流	0.00004 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	4 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash

A Microchip Technology Company

SST39WF800B

Data Sheet

The SST39WF800B is a 512K x16 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufac-

tured with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-

gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and man-

ufacturability compared to alternate approaches. The SST39WF800B writes (Pro-

gram or Erase) with a 1.65-1.95V power supply. This device conforms to JEDEC

standard pin assignments for x16 memories

Features

• Organized as 512K x16

• Single Voltage Read and Write Operations

– 1.65-1.95V

• Fast Erase and Word-Program

– Sector-Erase Time: 36 ms (typical)

– Block-Erase Time: 36 ms (typical)

– Chip-Erase Time: 140 ms (typical)

– Word-Program Time: 28 µs (typical)

• Superior Reliability

– Endurance: 100,000 Cycles (typical)

– Greater than 100 years Data Retention

• Automatic Write Timing

– Internal V

Generation

• Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)

– Active Current: 5 mA (typical)

– Standby Current: 5 µA (typical)

• End-of-Write Detection

– Toggle Bit

– Data# Polling

• Sector-Erase Capability

– Uniform 2 KWord sectors

• CMOS I/O Compatibility

• JEDEC Standard

– Flash EEPROM Pinouts and command sets

• Block-Erase Capability

– Uniform 32 KWord blocks

• Packages Available

– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)

– 48-ball WFBGA (4mm x 6mm) Micro-Package

– 48-ball XFLGA (5mm x 6mm) Micro-Package

– 48-ball XFLGA (4mm x 6mm) Micro-Package

• Fast Read Access Time

– 70 ns

• Latched Address and Data

• All devices are RoHS compliant

www.microchip.com

DS25031A

08/11

8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash

A Microchip Technology Company

SST39WF800B

Data Sheet

Product Description

The SST39WF800B is a 512K x16 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufactured with SST proprie-

tary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tun-

neling injector attain better reliability and manufacturability compared to alternate approaches. The

SST39WF800B writes (Program or Erase) with a 1.65-1.95V power supply. This device conforms to

JEDEC standard pin assignments for x16 memories.

The SST39WF800B features high-performance Word-Programming which provides a typical Word-

Program time of 28 µsec. It uses Toggle Bit or Data# Polling to detect the completion of the Program or

Erase operation. On-chip hardware and software data protection schemes protects against inadvertent

writes. Designed, manufactured, and tested for a wide spectrum of applications, the SST39WF800B is

offered with a guaranteed typical endurance of 100,000 cycles. Data retention is rated at greater than

100 years.

The SST39WF800B is suited for applications that require convenient and economical updating of pro-

gram, configuration, or data memory. It significantly improves performance and reliability of all system

applications while lowering power consumption. It inherently uses less energy during Erase and Pro-

gram than alternative flash technologies. When programming a flash device, the total energy con-

sumed is a function of the applied voltage, current, and time of application. For any given voltage

range, SuperFlash technology uses less current to program and has a shorter erase time; therefore,

the total energy consumed during any Erase or Program operation is less than alternative flash tech-

nologies. These devices also improve flexibility while lowering the cost for program, data, and configu-

ration storage applications.

SuperFlash technology provides fixed Erase and Program times independent of the number of Erase/

Program cycles that have occurred. Consequently, the system software or hardware does not have to

be modified or de-rated as is necessary with alternative flash technologies, whose Erase and Program

times increase with accumulated Erase/Program cycles.

To meet surface mount requirements, the SST39WF800B is offered in 48-ball TFBGA, 48-ball

WFBGA, and a 48-ball XFLGA packages. See Figures 2 and 3 for pin assignments and Table 1 for pin

descriptions.

DS25031A

08/11

SST39WF800B-70-4I-MAQE相似产品对比

	SST39WF800B-70-4I-MAQE	SST39WF800B-70-4I-B3KE-T	SST39WF800B-70-4C-EKE	SST39WF800B-70-4I-C2QE	SST39WF800B-70-4C-MAQE-T	SST39WF800B-70-4I-CAQE	SST39WF800B-70-4C-CAQE	SST39WF800B-70-4I-MAQE-T
描述	flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash	flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash	flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash	IC flash 8mbit 70ns 48xflga	IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC	512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, FLGA-48	512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, FLGA-48	IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC
是否无铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	-	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
包装说明	VFBGA, BGA48,6X11,20	-	-	5 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-222, FLGA-48	FBGA, BGA48,6X11,20	VFLGA, LGA48,6X11,20	VFLGA, LGA48,6X11,20	FBGA, BGA48,6X11,20
Reach Compliance Code	compliant	compliant	-	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	-	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
最长访问时间	70 ns	70 ns	-	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns
命令用户界面	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
通用闪存接口	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	-	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1	e3	-	e1	-	e3	e3	-
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	-	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	-	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	-	16	16	16	16	16
部门数/规模	256	256	-	256	256	256	256	256
端子数量	48	48	-	48	48	48	48	48
字数	524288 words	524288 words	-	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	-	512000	512000	512000	512000	512000
最高工作温度	85 °C	85 °C	-	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	-	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	FBGA	-	VFLGA	FBGA	VFLGA	VFLGA	FBGA
封装等效代码	BGA48,6X11,20	BGA48,6X8,32	-	LGA48,6X11,20	BGA48,6X11,20	LGA48,6X11,20	LGA48,6X11,20	BGA48,6X11,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-	260	-	260	260	-
电源	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
部门规模	2K	2K	-	2K	2K	2K	2K	2K
最大待机电流	0.00004 A	0.00004 A	-	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A
最大压摆率	0.02 mA	0.02 mA	-	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	MATTE TIN	MATTE TIN	-
端子形式	BALL	BALL	-	BUTT	BALL	BUTT	BUTT	BALL
端子节距	0.5 mm	0.8 mm	-	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	-	40	-	40	40	-
切换位	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	-	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE

推荐资源

我有中嵌的视频: 谁要是想要都是可以的我想要的是和我的不一样的！也就是内部的视频！这是我想要的...; chinawu 嵌入式系统

关于定时器定时周期的计算: /* --------------------------------------------------------------- TIM2 Configuration: Output Compare Toggle Mode: TIM2CLK = 36 MHz, Prescaler = 0x2, TIM2 counter clock = 12 ......; aabbccddee2 stm32/stm8

PCB布线方式: 请问Alitum designer 这种布线方式应该怎样实现? 这个是铺铜的效果么？还是不规则的布线?...; 燕园技术宅 PCB设计

【DIY数控电源】子板成立！！！: 为本次DIY数控电源活动，专门设立的讨论区，欢迎探讨~~~ DIY第一步，请大家关注且参与：【DIY数控电源】之提交方案大比拼！！！（即日起~10月18日）https://bbs.eeworld.com.cn/thre ......; EEWORLD社区 DIY/开源硬件专区

射频/微波电路中的薄膜无源器件: 就在不久之前，大多数微波电容器还都基于多层陶瓷烧制技术。在生产过程中，多层高导电性的金属合金电极层和低损耗的陶瓷绝缘层交错排列，从而得到所需要的电容值。然后，将合成的叠层进行高温烧 ......; ZYXWVU 无线连接

msp430f6736的采样频率怎么设置: 哪位大侠可以告诉我msp430f6736的采样频率怎么设置么？DCO频率为16MHz;fM由DCO得到,为1.1MHz; 采样频率fS=fM/OSR=4.096 ksps，其中OSR=256。还有个问题如果设置好了能保证每秒钟采样4096次吗？ ......; smartshinelee 微控制器 MCU

基于STM32单片机的简单红外循迹的实现

此次红外循迹是我在做毕设过程无意中实现的，所有有些地方不够精确完美，还请各位友友们多多指点校正。这篇博客也是小弟第一篇博客，小弟不才，文笔不怎么行，可能有些语句不太通顺的地方，只能让各位将就一下了。那么接下来就进入正题吧。一、硬件选择 ①首先我们需要一个单片机开发板，在这里我使用的是STM32F103RCT6型号的单片机，这个大家也可以自己买其他的类型；②然后就是电机和电机驱动模块，市面上...[详细]
通过串口利用printf函数输出数据

　　一。printf函数格式　　printf函数具有强大的输出功能　　%表示格式化字符串输出　　目前printf支持以下格式的输出，例如：　　printf( %c ,a);输出单个字符。　　printf( %d ,a);输出十进制整数。　　printf( %f ,a);输出十进制浮点数. 　　printf( %o ,a);输出八进制数。　　printf( %s ,a);输出字符串。...[详细]
单片机stm32串口分析

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。　　什么是串口　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器　　USART : Uni...[详细]
机器视觉如何选择/设计视觉光源照明方案

机器视觉系统的核心是图像的采集和处理。所有信息均来源于图像，图像的质量对整个视觉系统极为关键。一幅好的图像可以提高整个系统的稳定性，从而大大降低图像处理算法的难度，同时提高系统的精度和可靠性。一幅好的图像应该具备如下条件：对比度：对比度明显，目标与背景的边界对比清晰，要求目标与背景灰度值至少相差30以上；均匀性：要求图片整体亮度均匀，或整体不均匀但灰度差不影响图像处理；真实...[详细]
基于TGW 的整车OTA 系统安全设计

摘要：随着智能汽车电子电气架构的复杂化，整车电控部件全生命周期管理面临多重挑战：传统基于诊断仪的现场刷写方案存在人工依赖度高、操作效率低的问题，而现有远程升级（OTA）技术则面临车载通信模块分立部署导致的硬件冗余及协议传输效率不足的瓶颈。文章提出一种集成式车载网关（TGW）架构，通过融合传统车载T-BOX（Telematics Box）与车载Gateway 功能，在硬件层面实现模块整合以消除冗...[详细]
你知道“汽车电子围栏”是什么吗

什么是“汽车电子围栏” 车队管理者可在亚美科技的车辆后台管理系统(PC端或者手机端)中设置一个图形区域(规则或不规则)或按行政区划分。当已安装车智汇智能终端的车辆驶离指定的区域，系统会按事先设定的条件，启动相关的处理程序，及时向车队管理者发出警报及手机端会推送通知。亚美科技课堂：汽车电子围栏的工作流程第一，为汽车安装亚美科技智能终端的产品。第二，车队管理者在亚美科技的车辆后台管理系统中...[详细]
SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用，为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK 海力士开发了一种容量为 2Tb 的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量 N...[详细]
全面解析互动投影系统原理

Definition of interactive projection system: Interactive projection systems, also known as multimedia interactive projection, are available in floor, wall, and tabletop interactive projection....[详细]
用国产大模型，特斯拉接入豆包和DeepSeek

日前，特斯拉发布了《特斯拉车机语音助手使用条款》，宣布车机语音助手将接入火山引擎提供的豆包大模型（云雀大模型）和DeepSeek Chat，而对于具体上线时间官方暂未明确。该条款指出，每辆特斯拉都配备了语音助手功能。车主可以通过物理按键、“嘿，Tesla”或自定义唤醒词激活车机语音助手，进而与车辆进行语音交互。根据特斯拉中国官网更新的《特斯拉车机语音助手使用条款》显示，全新上...[详细]
新能源车保值率如何破“腰斩”困局？

今年以来，价格战有增不减，新车此起彼伏，零公里二手车成为舆论焦点，行业内卷被官方提上休整日程……这些因素共同影响了新能源汽车今年上半年保值表现。根据中国汽车流通协会数据，2025年1至7月，三年车龄的新能源汽车保值率呈现缓慢下滑趋势。整体来看，插电式混合动力车型三年保值率略高于纯电动车型，今年7月，插电式混合动力车型三年保值率为44.1%，纯电动车型则为44.8%。相比之下，传统...[详细]
嵌入式大佬给你分析stm32串口

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。　　什么是串口　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器　　USART : Uni...[详细]
无人驾驶的基本框架你了解吗

将无人车理解为机器人并且使用机器人开发的思维处理无人车系统是目前工业界的共识，但也不乏一些单纯使用人工智能或者是智能体来完成无人驾驶的案例。其中基于深度学习的端到端无人驾驶和基于强化学习的驾驶智能体是目前的研究热点。无人驾驶系统的核心可以概述为三个部分：感知（Perception），规划（Planning）和控制（Control），这些部分的交互以及其与车辆硬件、其他车辆的交互可以用下图表...[详细]
汽车使用劣质火花塞负面影响多，如何区分火花塞真假

火花塞对于发动机来说是必不可少的一个装置了，正所谓离开了火花塞，发动机无法正常的工作，严重的后果就是在高速行车的时候，那么对于火花塞来说，购买更换看似简单，但是实际上面来说，使用不当带来的危害还是很大的，火花塞主要的作用就是满足发动机在工作的时候所需要的电能，达到促进汽油燃烧的这么一个装置，而对于火花塞来说，假的劣质的火花塞有哪些危害？假的火花带来的后果会导致加速性能下降，冷启动困难等一...[详细]
多电平逆变器的意思，需要高额定值的开关

多电平逆变器将DC信号转换成多电平阶梯波形。多电平逆变器的输出波形不是直接正负交替，而是多步交替。因为波形的平滑度与电压电平的数量成正比。因此，多电平逆变器将产生更平滑的波形。如前所述，较小步长的这一特性使其可用于实际应用。多电平逆变器是什么东西多电平逆变器的优势更好的电压波形:使用多电平逆变器，可以获得更好的电压波形。开关频率对于PWM操作可以进一步降低。使用低额定值设备的高电压...[详细]
关于ESD管的叫法，你知道几个?

中国汉字博大精深，关于ESD管的叫法可谓是千奇百样，你知道的有几个呢？据优恩小编所知，目前ESD管的叫法主要有ESD静电保护器、ESD静电保护二极管、ESD防护静电二极管、ESD二极管以及ESD管。叫法虽多，但其作用还是防护电路而生。其实不管是它的叫法，还是原理，都是应当知道的，在了解ESD管的前提基础上，我们其实还要对前身作个大概的知悉，例如电子产品为什么需要防雷过压保护，ESD静电...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多