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SST39WF800B-70-4C-CAQE: 产品描述512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, FLGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小328KB，共33页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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SST39WF800B-70-4C-CAQE概述

512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, FLGA-48

SST39WF800B-70-4C-CAQE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DSBGA
包装说明	VFLGA, LGA48,6X11,20
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e3
长度	6 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	256
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFLGA
封装等效代码	LGA48,6X11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.52 mm
部门规模	2K
最大待机电流	0.00004 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	BUTT
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	4 mm
Base Number Matches	1

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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash

A Microchip Technology Company

SST39WF800B

Data Sheet

The SST39WF800B is a 512K x16 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufac-

tured with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-

gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and man-

ufacturability compared to alternate approaches. The SST39WF800B writes (Pro-

gram or Erase) with a 1.65-1.95V power supply. This device conforms to JEDEC

standard pin assignments for x16 memories

Features

• Organized as 512K x16

• Single Voltage Read and Write Operations

– 1.65-1.95V

• Fast Erase and Word-Program

– Sector-Erase Time: 36 ms (typical)

– Block-Erase Time: 36 ms (typical)

– Chip-Erase Time: 140 ms (typical)

– Word-Program Time: 28 µs (typical)

• Superior Reliability

– Endurance: 100,000 Cycles (typical)

– Greater than 100 years Data Retention

• Automatic Write Timing

– Internal V

Generation

• Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)

– Active Current: 5 mA (typical)

– Standby Current: 5 µA (typical)

• End-of-Write Detection

– Toggle Bit

– Data# Polling

• Sector-Erase Capability

– Uniform 2 KWord sectors

• CMOS I/O Compatibility

• JEDEC Standard

– Flash EEPROM Pinouts and command sets

• Block-Erase Capability

– Uniform 32 KWord blocks

• Packages Available

– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)

– 48-ball WFBGA (4mm x 6mm) Micro-Package

– 48-ball XFLGA (5mm x 6mm) Micro-Package

– 48-ball XFLGA (4mm x 6mm) Micro-Package

• Fast Read Access Time

– 70 ns

• Latched Address and Data

• All devices are RoHS compliant

www.microchip.com

DS25031A

08/11

8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash

A Microchip Technology Company

SST39WF800B

Data Sheet

Product Description

The SST39WF800B is a 512K x16 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufactured with SST proprie-

tary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tun-

neling injector attain better reliability and manufacturability compared to alternate approaches. The

SST39WF800B writes (Program or Erase) with a 1.65-1.95V power supply. This device conforms to

JEDEC standard pin assignments for x16 memories.

The SST39WF800B features high-performance Word-Programming which provides a typical Word-

Program time of 28 µsec. It uses Toggle Bit or Data# Polling to detect the completion of the Program or

Erase operation. On-chip hardware and software data protection schemes protects against inadvertent

writes. Designed, manufactured, and tested for a wide spectrum of applications, the SST39WF800B is

offered with a guaranteed typical endurance of 100,000 cycles. Data retention is rated at greater than

100 years.

The SST39WF800B is suited for applications that require convenient and economical updating of pro-

gram, configuration, or data memory. It significantly improves performance and reliability of all system

applications while lowering power consumption. It inherently uses less energy during Erase and Pro-

gram than alternative flash technologies. When programming a flash device, the total energy con-

sumed is a function of the applied voltage, current, and time of application. For any given voltage

range, SuperFlash technology uses less current to program and has a shorter erase time; therefore,

the total energy consumed during any Erase or Program operation is less than alternative flash tech-

nologies. These devices also improve flexibility while lowering the cost for program, data, and configu-

ration storage applications.

SuperFlash technology provides fixed Erase and Program times independent of the number of Erase/

Program cycles that have occurred. Consequently, the system software or hardware does not have to

be modified or de-rated as is necessary with alternative flash technologies, whose Erase and Program

times increase with accumulated Erase/Program cycles.

To meet surface mount requirements, the SST39WF800B is offered in 48-ball TFBGA, 48-ball

WFBGA, and a 48-ball XFLGA packages. See Figures 2 and 3 for pin assignments and Table 1 for pin

descriptions.

DS25031A

08/11

SST39WF800B-70-4C-CAQE相似产品对比

	SST39WF800B-70-4C-CAQE	SST39WF800B-70-4I-B3KE-T	SST39WF800B-70-4C-EKE	SST39WF800B-70-4I-MAQE	SST39WF800B-70-4I-C2QE	SST39WF800B-70-4C-MAQE-T	SST39WF800B-70-4I-CAQE	SST39WF800B-70-4I-MAQE-T
描述	512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, FLGA-48	flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash	flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash	flash 1.65 to 1.95v 8mbit multi-purpose flash	IC flash 8mbit 70ns 48xflga	IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC	512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, FLGA-48	IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC
是否无铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	-	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
包装说明	VFLGA, LGA48,6X11,20	-	-	VFBGA, BGA48,6X11,20	5 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-222, FLGA-48	FBGA, BGA48,6X11,20	VFLGA, LGA48,6X11,20	FBGA, BGA48,6X11,20
Reach Compliance Code	compliant	compliant	-	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	3A991.B.1.A	-	3A991.B.1.A	EAR99	-	EAR99	-
最长访问时间	70 ns	70 ns	-	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns
命令用户界面	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
通用闪存接口	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	-	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e3	e3	-	e1	e1	-	e3	-
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	-	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	-	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	-	16	16	16	16	16
部门数/规模	256	256	-	256	256	256	256	256
端子数量	48	48	-	48	48	48	48	48
字数	524288 words	524288 words	-	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	-	512000	512000	512000	512000	512000
最高工作温度	70 °C	85 °C	-	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	-	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFLGA	FBGA	-	VFBGA	VFLGA	FBGA	VFLGA	FBGA
封装等效代码	LGA48,6X11,20	BGA48,6X8,32	-	BGA48,6X11,20	LGA48,6X11,20	BGA48,6X11,20	LGA48,6X11,20	BGA48,6X11,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-	260	260	-	260	-
电源	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
部门规模	2K	2K	-	2K	2K	2K	2K	2K
最大待机电流	0.00004 A	0.00004 A	-	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A	0.00004 A
最大压摆率	0.02 mA	0.02 mA	-	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	MATTE TIN	-
端子形式	BUTT	BALL	-	BALL	BUTT	BALL	BUTT	BALL
端子节距	0.5 mm	0.8 mm	-	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	-	40	40	-	40	-
切换位	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	-	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE

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