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CD4085BMTE4

产品描述Logic Gates CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小882KB,共15页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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CD4085BMTE4概述

Logic Gates CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate

CD4085BMTE4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP14,.25
针数14
Reach Compliance Codeunknown
系列4000/14000/40000
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e4
长度8.65 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型AND-OR-INVERT GATE
湿度敏感等级1
功能数量2
输入次数4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup620 ns
传播延迟(tpd)620 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)18 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

CD4085BMTE4相似产品对比

CD4085BMTE4 CD4085BME4 CD4085BMG4 CD4085BMTG4 CD4085BPWRG4 CD4085BPWRE4
描述 Logic Gates CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate Logic Gates CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate Logic Gates CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate Logic Gates CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate Logic Gates CMOS Dual 2W 2In AND-OR-INVERT Gate Logic Gates AND/OR Invert Gate
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC SOIC TSSOP TSSOP
包装说明 SOP, SOP14,.25 SOP, SOP14,.25 SOP, SOP14,.25 SOP, SOP14,.25 TSSOP, TSSOP14,.25 TSSOP, TSSOP14,.25
针数 14 14 14 14 14 14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
系列 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000
JESD-30 代码 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4
长度 8.65 mm 8.65 mm 8.65 mm 8.65 mm 5 mm 5 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
功能数量 2 2 2 2 2 2
输入次数 4 4 4 4 4 4
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP SOP TSSOP TSSOP
封装等效代码 SOP14,.25 SOP14,.25 SOP14,.25 SOP14,.25 TSSOP14,.25 TSSOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TAPE AND REEL TUBE TUBE TAPE AND REEL TAPE AND REEL TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
电源 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 620 ns 620 ns 620 ns 620 ns 620 ns 620 ns
传播延迟(tpd) 620 ns 620 ns 620 ns 620 ns 620 ns 620 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO NO
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 4.4 mm 4.4 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 - -

 
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