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7203S25J: 产品描述FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32; 产品类别存储存储; 文件大小912KB，共14页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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7203S25J概述

FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32

7203S25J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
最大时钟频率 (fCLK)	28.5 MHz
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0
内存密度	18432 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
端子数量	32
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

7203S25J相似产品对比

	7203S25J	5962-01-356-3041	5962-01-319-9077	5962-01-418-5858	5962-01-413-3523	7203S12TP	7203S35J	7204S12TP
描述	FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32	FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28	FIFO, 2KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28	FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28	FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28	FIFO, 2KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28	FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32	FIFO, 4KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	_compli	not_compliant	not_compliant	_compli	_compli	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	50 ns	65 ns	35 ns	50 ns	12 ns	35 ns	12 ns
最大时钟频率 (fCLK)	28.5 MHz	15 MHz	12.5 MHz	22.2 MHz	15 MHz	50 MHz	22.2 MHz	50 MHz
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-XDIP-T28	R-PDIP-T28	R-XDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28
内存密度	18432 bit	36864 bi	18432 bit	36864 bit	36864 bi	18432 bi	18432 bi	36864 bi
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9
端子数量	32	28	28	28	28	28	32	28
字数	2048 words	4096 words	2048 words	4096 words	4096 words	2048 words	2048 words	4096 words
字数代码	2000	4000	2000	4000	4000	2000	2000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX9	4KX9	2KX9	4KX9	4KX9	2KX9	2KX9	4KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	QCCJ	DIP
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.3	LDCC32,.5X.6	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	260	260	260	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.012 A	0.008 A	0.012 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.12 mA	0.12 mA	0.15 mA	0.12 mA	0.15 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO	NO	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	6	6	6	6	30	30	30
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	-	e0	e0	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)

7203S25J

7203S25J概述

7203S25J规格参数

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