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7204S12TP: 产品描述FIFO, 4KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28; 产品类别存储存储; 文件大小912KB，共14页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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7204S12TP概述

FIFO, 4KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28

7204S12TP规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	12 ns
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
内存密度	36864 bi
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
端子数量	28
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30

7204S12TP相似产品对比

	7204S12TP	5962-01-356-3041	7203S25J	5962-01-319-9077	5962-01-418-5858	5962-01-413-3523	7203S12TP	7203S35J
描述	FIFO, 4KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28	FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28	FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32	FIFO, 2KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28	FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28	FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28	FIFO, 2KX9, 12ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28	FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	_compli	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	_compli	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	12 ns	50 ns	25 ns	65 ns	35 ns	50 ns	12 ns	35 ns
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz	15 MHz	28.5 MHz	12.5 MHz	22.2 MHz	15 MHz	50 MHz	22.2 MHz
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	R-XDIP-T28	R-PDIP-T28	R-XDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32
内存密度	36864 bi	36864 bi	18432 bit	18432 bit	36864 bit	36864 bi	18432 bi	18432 bi
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9
端子数量	28	28	32	28	28	28	28	32
字数	4096 words	4096 words	2048 words	2048 words	4096 words	4096 words	2048 words	2048 words
字数代码	4000	4000	2000	2000	4000	4000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX9	4KX9	2KX9	2KX9	4KX9	4KX9	2KX9	2KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	QCCJ	DIP	DIP	DIP	DIP	QCCJ
封装等效代码	DIP28,.3	DIP28,.6	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.3	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	225	260	260	260	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.012 A	0.008 A	0.012 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.15 mA	0.12 mA	0.15 mA	0.12 mA	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	NO	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	6	30	6	6	6	30	30
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	e0	-	e0	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)

7204S12TP

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7204S12TP规格参数

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