Small Signal Field-Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.1 A |
最大漏源导通电阻 | 0.055 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
934064772115 | 934064772125 | PMN48XP | |
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描述 | Small Signal Field-Effect Transistor | Small Signal Field-Effect Transistor | Small Signal Field-Effect Transistor |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SC-74, TSOP-6 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.1 A | 4.1 A | 4.1 A |
最大漏源导通电阻 | 0.055 Ω | 0.055 Ω | 0.055 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 6 | 6 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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