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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BY399S(Z)
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BY399S(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB，共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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BY399S(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,

BY399S(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BY396(Z)---BY399S(Z)
VOLTAGE RANGE: 100--- 1000 V
CURRENT: 3.0 A
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO - 27
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight:0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BY
396
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BY
397
200
140
200
BY
398
400
280
400
3.0
BY
399
800
560
800
BY
399S
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
100.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.25
10.0
200.0
150
32
22
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
／Ｗ
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261023
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BY399S(Z)相似产品对比

BY399S(Z) BY399(Z) BY397(Z) BY396(Z) BY398(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1.25 V
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 1000 V 800 V 200 V 100 V 400 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL

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