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PHD3N40E

产品描述PowerMOS transistors Avalanche energy rated
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共10页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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PHD3N40E概述

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

PHD3N40E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

PHD3N40E相似产品对比

PHD3N40E PHP3N40E PHB3N40E
描述 PowerMOS transistors Avalanche energy rated PowerMOS transistors Avalanche energy rated PowerMOS transistors Avalanche energy rated
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.5 A 2.5 A 2.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W 50 W
表面贴装 YES NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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