PowerMOS transistors Avalanche energy rated
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
PHD3N40E | PHP3N40E | PHB3N40E | |
---|---|---|---|
描述 | PowerMOS transistors Avalanche energy rated | PowerMOS transistors Avalanche energy rated | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
配置 | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.5 A | 2.5 A | 2.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W | 50 W | 50 W |
表面贴装 | YES | NO | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved