电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

5962L8771002QGA

产品描述

5962L8771002QGA放大器基础信息:

5962L8771002QGA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为METAL CAN, TO-5, 8 PIN

5962L8771002QGA放大器核心信息:

5962L8771002QGA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.06 µA他的最大平均偏置电流为0.1 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962L8771002QGA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962L8771002QGA的最大压摆率为4 mA.其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962L8771002QGA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962L8771002QGA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962L8771002QGA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为。5962L8771002QGA的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

5962L8771002QGA的相关尺寸:

5962L8771002QGA拥有8个端子.其端子位置类型为:BOTTOM。共有针脚:8

5962L8771002QGA放大器其他信息:

5962L8771002QGA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962L8771002QGA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

其不属于微功率放大器。5962L8771002QGA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:O-MBCY-W8。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962L8771002QGA的封装代码是:TO-5。

5962L8771002QGA封装的材料多为METAL。而其封装形状为ROUND。5962L8771002QGA封装引脚的形式有:CYLINDRICAL。其端子形式有:WIRE。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小475KB,共23页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
器件替换:5962L8771002QGA替换放大器
敬请期待 详细参数 选型对比

5962L8771002QGA概述

5962L8771002QGA放大器基础信息:

5962L8771002QGA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为METAL CAN, TO-5, 8 PIN

5962L8771002QGA放大器核心信息:

5962L8771002QGA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.06 µA他的最大平均偏置电流为0.1 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962L8771002QGA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962L8771002QGA的最大压摆率为4 mA.其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962L8771002QGA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962L8771002QGA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962L8771002QGA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为。5962L8771002QGA的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

5962L8771002QGA的相关尺寸:

5962L8771002QGA拥有8个端子.其端子位置类型为:BOTTOM。共有针脚:8

5962L8771002QGA放大器其他信息:

5962L8771002QGA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962L8771002QGA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

其不属于微功率放大器。5962L8771002QGA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:O-MBCY-W8。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962L8771002QGA的封装代码是:TO-5。

5962L8771002QGA封装的材料多为METAL。而其封装形状为ROUND。5962L8771002QGA封装引脚的形式有:CYLINDRICAL。其端子形式有:WIRE。

5962L8771002QGA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
零件包装代码BCY
包装说明METAL CAN, TO-5, 8 PIN
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.1 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.06 µA
标称共模抑制比85 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压4000 µV
JESD-30 代码O-MBCY-W8
JESD-609代码e0
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装代码TO-5
封装等效代码CAN8,.2
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
功率NO
电源+-16 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
标称压摆率0.5 V/us
最大压摆率4 mA
供电电压上限32 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量50k Rad(Si) V
标称均一增益带宽1000 kHz
最小电压增益25000
宽带NO
Base Number Matches1

5962L8771002QGA相似产品对比

5962L8771002QGA 5962L8771002VPA LM158J-MPR LM158AWGLQML LM158MDS LM158MW8 5962L8771002QPA LM158AJ-MLS
描述 IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-5, 8 PIN, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, UUC, WAFER, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier
零件包装代码 BCY DIP DIP SOIC WAFER WAFER DIP DIP
包装说明 METAL CAN, TO-5, 8 PIN CERAMIC, DIP-8 DIP, SOP, SOP10,.4 DIE, DIE OR CHIP DIE, WAFER DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow compli unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.1 µA 0.001 µA 0.3 µA 0.1 µA 0.3 µA 0.3 µA 0.001 µA 0.1 µA
标称共模抑制比 85 dB 70 dB 85 dB 85 dB 85 dB 85 dB 70 dB 85 dB
最大输入失调电压 4000 µV 4000 µV 7000 µV 4000 µV 7000 µV 7000 µV 4000 µV 4000 µV
JESD-30 代码 O-MBCY-W8 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-GDSO-G10 X-XUUC-N X-XUUC-N R-GDIP-T8 R-GDIP-T8
功能数量 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 METAL CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED UNSPECIFIED UNSPECIFIED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 TO-5 DIP DIP SOP DIE DIE DIP DIP
封装形状 ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED UNSPECIFIED RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE UNCASED CHIP UNCASED CHIP IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称压摆率 0.5 V/us 0.5 V/us 0.5 V/us 0.5 V/us 0.5 V/us 0.5 V/us 0.5 V/us 0.5 V/us
供电电压上限 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES YES YES NO NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 WIRE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM DUAL DUAL DUAL UPPER UPPER DUAL DUAL
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) -
针数 8 8 8 10 - - 8 8
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK - VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.06 µA 0.06 µA - 0.06 µA 0.05 µA 0.05 µA 0.05 µA 0.05 µA
频率补偿 YES YES - YES YES YES YES YES
JESD-609代码 e0 e0 - e0 - - e0 e0
低-失调 NO NO - NO NO NO NO NO
端子数量 8 8 8 10 - - 8 8
封装等效代码 CAN8,.2 DIP8,.3 - SOP10,.4 DIE OR CHIP WAFER DIP8,.3 DIP8,.3
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260
电源 +-16 V +-1.5/+-15/3/30 V - +-1.5/+-15/3/30 V +-1.5/+-15/3/30 V +-1.5/+-15/3/30 V +-16 V +-1.5/+-15/3/30 V
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-PRF-38535 Class V - MIL-STD-883 38535V;38534K;883S MIL-STD-883 MIL-PRF-38535 Class V 38535V;38534K;883S
最大压摆率 4 mA - - 4 mA 2 mA 2 mA 4 mA 4 mA
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD - Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn63Pb37)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最小电压增益 25000 25000 - 25000 25000 25000 25000 25000
座面最大高度 - 5.08 mm 5.08 mm 2.33 mm - - 5.08 mm 5.08 mm
端子节距 - 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm - - 2.54 mm 2.54 mm
宽度 - 7.62 mm 7.62 mm 6.12 mm - - 7.62 mm 7.62 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2900  956  1093  1015  1878  59  20  22  21  38 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved