Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> 5962L8771002VPA

5962L8771002VPA: 产品描述5962L8771002VPA放大器基础信息： 5962L8771002VPA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8 5962L8771002VPA放大器核心信息： 5962L8771002VPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.06 µA他的最大平均偏置电流为0.001 µA 如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962L8771002VPA的标称压摆率有0.5 V/us。其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962L8771002VPA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962L8771002VPA的功率为NO。其可编程功率为NO。 5962L8771002VPA的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。5962L8771002VPA的输入失调电压为4000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962L8771002VPA的宽度为：7.62 mm。 5962L8771002VPA的相关尺寸： 5962L8771002VPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8 5962L8771002VPA放大器其他信息： 5962L8771002VPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962L8771002VPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962L8771002VPA的封装代码是：DIP。5962L8771002VPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962L8771002VPA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小475KB，共23页; 制造商National Semiconductor（TI ）; 官网地址http://www.ti.com; 器件替换：5962L8771002VPA替换放大器

敬请期待详细参数选型对比

5962L8771002VPA概述

5962L8771002VPA放大器基础信息：

5962L8771002VPA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, DIP-8

5962L8771002VPA放大器核心信息：

5962L8771002VPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.06 µA他的最大平均偏置电流为0.001 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962L8771002VPA的标称压摆率有0.5 V/us。其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962L8771002VPA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962L8771002VPA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962L8771002VPA的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。5962L8771002VPA的输入失调电压为4000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962L8771002VPA的宽度为：7.62 mm。

5962L8771002VPA的相关尺寸：

5962L8771002VPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8

5962L8771002VPA放大器其他信息：

5962L8771002VPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962L8771002VPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。

其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962L8771002VPA的封装代码是：DIP。5962L8771002VPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。5962L8771002VPA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

5962L8771002VPA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	National Semiconductor（TI ）
零件包装代码	DIP
包装说明	CERAMIC, DIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.06 µA
标称共模抑制比	70 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	4000 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
低-偏置	NO
低-失调	NO
微功率	NO
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
功率	NO
电源	+-1.5/+-15/3/30 V
可编程功率	NO
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	5.08 mm
标称压摆率	0.5 V/us
供电电压上限	32 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	BIPOLAR
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
总剂量	50k Rad(Si) V
标称均一增益带宽	1000 kHz
最小电压增益	25000
宽带	NO
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

5962L8771002VPA相似产品对比

	5962L8771002VPA	5962L8771002QGA	LM158J-MPR	LM158AWGLQML	LM158MDS	LM158MW8	5962L8771002QPA	LM158AJ-MLS
描述	IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-5, 8 PIN, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, UUC, WAFER, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier
零件包装代码	DIP	BCY	DIP	SOIC	WAFER	WAFER	DIP	DIP
包装说明	CERAMIC, DIP-8	METAL CAN, TO-5, 8 PIN	DIP,	SOP, SOP10,.4	DIE, DIE OR CHIP	DIE, WAFER	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	compli	unknown	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.001 µA	0.1 µA	0.3 µA	0.1 µA	0.3 µA	0.3 µA	0.001 µA	0.1 µA
标称共模抑制比	70 dB	85 dB	85 dB	85 dB	85 dB	85 dB	70 dB	85 dB
最大输入失调电压	4000 µV	4000 µV	7000 µV	4000 µV	7000 µV	7000 µV	4000 µV	4000 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	O-MBCY-W8	R-GDIP-T8	R-GDSO-G10	X-XUUC-N	X-XUUC-N	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8
功能数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	METAL	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	TO-5	DIP	SOP	DIE	DIE	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CYLINDRICAL	IN-LINE	SMALL OUTLINE	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称压摆率	0.5 V/us	0.5 V/us	0.5 V/us	0.5 V/us	0.5 V/us	0.5 V/us	0.5 V/us	0.5 V/us
供电电压上限	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES	YES	YES	NO	NO
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	WIRE	THROUGH-HOLE	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	UPPER	UPPER	DUAL	DUAL
标称均一增益带宽	1000 kHz	1000 kHz	1000 kHz	1000 kHz	1000 kHz	1000 kHz	1000 kHz	1000 kHz
厂商名称	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	-
针数	8	8	8	10	-	-	8	8
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	-	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.06 µA	0.06 µA	-	0.06 µA	0.05 µA	0.05 µA	0.05 µA	0.05 µA
频率补偿	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	-	-	e0	e0
低-失调	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
端子数量	8	8	8	10	-	-	8	8
封装等效代码	DIP8,.3	CAN8,.2	-	SOP10,.4	DIE OR CHIP	WAFER	DIP8,.3	DIP8,.3
电源	+-1.5/+-15/3/30 V	+-16 V	-	+-1.5/+-15/3/30 V	+-1.5/+-15/3/30 V	+-1.5/+-15/3/30 V	+-16 V	+-1.5/+-15/3/30 V
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-STD-883	-	MIL-STD-883	38535V;38534K;883S	MIL-STD-883	MIL-PRF-38535 Class V	38535V;38534K;883S
座面最大高度	5.08 mm	-	5.08 mm	2.33 mm	-	-	5.08 mm	5.08 mm
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子节距	2.54 mm	-	2.54 mm	1.27 mm	-	-	2.54 mm	2.54 mm
最小电压增益	25000	25000	-	25000	25000	25000	25000	25000
宽度	7.62 mm	-	7.62 mm	6.12 mm	-	-	7.62 mm	7.62 mm
是否Rohs认证	-	不符合	-	不符合	符合	符合	不符合	不符合
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260
最大压摆率	-	4 mA	-	4 mA	2 mA	2 mA	4 mA	4 mA
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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