IRFR15N20DTRRPBF,IRFR15N20DTRRPBF pdf中文资料,IRFR15N20DTRRPBF引脚图,IRFR15N20DTRRPBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRFR15N20DTRRPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小224KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRFR15N20DTRRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

IRFR15N20DTRRPBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	260 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	17 A
最大漏极电流 (ID)	17 A
最大漏源导通电阻	0.165 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	68 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRFR15N20DTRRPBF相似产品对比

	IRFR15N20DTRRPBF	IRFR15N20DTRLPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	17 A	17 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
最高工作温度	175 °C	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	140 W	140 W
表面贴装	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

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