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W3E16M72S-250BI

产品描述DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219
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制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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W3E16M72S-250BI概述

DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219

W3E16M72S-250BI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数219
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.8 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B219
内存密度1207959552 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量219
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX72
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

W3E16M72S-250BI相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 DDR DRAM, 16MX72, 0.75ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 DDR DRAM, 16MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA219, 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 219 219 219 219 219 219 219
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.8 ns 0.8 ns 0.8 ns 0.8 ns 0.8 ns 0.75 ns 0.8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B219 R-PBGA-B219 R-PBGA-B219 R-PBGA-B219 R-PBGA-B219 R-PBGA-B219 R-PBGA-B219
内存密度 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 219 219 219 219 219 219 219
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -55 °C -55 °C - - -40 °C
组织 16MX72 16MX72 16MX72 16MX72 16MX72 16MX72 16MX72
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Microsemi Microsemi - Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
Base Number Matches 1 1 - 1 1 1 1
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