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APT35GP120JDF2

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小208KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT35GP120JDF2概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES

APT35GP120JDF2规格参数

参数名称属性值
零件包装代码ISOTOP
包装说明,
针数4
制造商包装代码ISOTOP
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)64 A
集电极-发射极最大电压1200 V
门极-发射极最大电压20 V
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)284 W
Base Number Matches1

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