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JANTXV2N3996

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小170KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JANTXV2N3996概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE

JANTXV2N3996规格参数

参数名称属性值
厂商名称Semicoa
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码O-MUPM-X4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/374
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1

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2N3996
Silicon NPN Transistor
Data Sheet
Description
Semicoa Semiconductors offers:
Screening and processing per MIL-PRF-19500
Appendix E
JAN level (2N3996J)
JANTX level (2N3996JX)
JANTXV level (2N3996JV)
QCI to the applicable level
100% die visual inspection per MIL-STD-750 method
2072 for JANTXV
Radiation testing (total dose) upon request
Applications
High-speed power switching
Power transistor
NPN silicon transistor
Features
Hermetically sealed TO-x metal can
Also available in chip configuration
Chip geometry 9201
Reference document:
MIL-PRF-19500/374
Benefits
Please contact Semicoa for special configurations
www.SEMICOA.com or (714) 979-1900
Qualification Levels: JAN, JANTX, and
JANTXV
Radiation testing available
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Power Dissipation, T
A
= 25°C
Derate linearly above 25°C
Power Dissipation, T
C
= 25°C
Derate linearly above 25°C
Thermal Resistance
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
T
C
= 25°C unless otherwise specified
Rating
80
100
8
5
2
11.4
30
300
3.33
-65 to +200
-65 to +200
Unit
Volts
Volts
Volts
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C/W
°C
°C
R
θJC
T
J
T
STG
Copyright 2002
Rev. D
Semicoa Semiconductors, Inc.
333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541
Page 1 of 2
www.SEMICOA.com

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JANTXV2N3996 JAN2N3996 JANTX2N3996
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X4 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X4 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X4
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15 15
JESD-30 代码 O-MUPM-X4 O-MUPM-X4 O-MUPM-X4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/374 MIL-19500/374 MIL-19500/374
表面贴装 NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 40 MHz 40 MHz
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Semicoa Semicoa -
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