DDR DRAM,
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 8309607258 |
包装说明 | TBGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 4.6 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; TERM PITCH-MAX |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
长度 | 12 mm |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | DDR1 DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 60 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 10 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved