IC eeprom 4kbit 1mhz 8sot-23
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
包装说明 | VSSOP, TSOP5/6,.11,37 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 101000MR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 2.9 mm |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 512 words |
字数代码 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512X8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSSOP |
封装等效代码 | TSOP5/6,.11,37 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 4e-7 A |
最大压摆率 | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.95 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 1.6 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
AT24C04D-STUM-T | AT24C04D-SSHM-T | AT24C04D-PUM | |
---|---|---|---|
描述 | IC eeprom 4kbit 1mhz 8sot-23 | IC eeprom 4kbit 1mhz 8soic | IC eeprom 4kbit 1mhz 8dip |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
包装说明 | VSSOP, TSOP5/6,.11,37 | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | DIP, DIP8,.3 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 | 100 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 101000MR | 1010DDMR | 1010DDMR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
长度 | 2.9 mm | 4.925 mm | 9.271 mm |
内存密度 | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 512 words | 512 words | 512 words |
字数代码 | 512 | 512 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 512X8 | 512X8 | 512X8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSSOP | SOP | DIP |
封装等效代码 | TSOP5/6,.11,37 | SOP8,.25 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8/3.3 V | 1.8/3.3 V | 1.8/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm | 1.75 mm | 5.334 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
最大待机电流 | 4e-7 A | 4e-7 A | 4e-7 A |
最大压摆率 | 0.001 mA | 0.001 mA | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 0.95 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 1.6 mm | 3.9 mm | 7.62 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE |
JESD-609代码 | - | e4 | e3 |
端子面层 | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved