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5082-3141

产品描述Pin Diode, 70V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, M-50, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-3141概述

Pin Diode, 70V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, M-50, 2 PIN

5082-3141规格参数

参数名称属性值
包装说明R-MDFM-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
应用ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压70 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型PIN DIODE
频带L BAND TO KU BAND
JESD-30 代码R-MDFM-W2
少数载流子标称寿命0.035 µs
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式WIRE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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5082-3141
MICROSTRIP/STRIPLINE PIN DIODE SWITCH
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-3141
is a Silicon PIN
Diode Module Designed for Reflective
Attenuator and Switching Applications
from 1 to 18 GHz.
PACKAGE STYLE M-50
FEATURES INCLUDE:
Direct Replacement for
HP 5082-3141
Isolation = 20 dB min. at 8 GHz
Hermetic Package
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
250 mA
70 V
0.75 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +150
O
C
-65
O
C to +150
O
C
125
O
C/W
Cathode
ORDER CODE: ASI30214
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
BR
V
F
τ
I
L
I
L
V
SWR
I
R
= 10
µA
I
F
= 100 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 0 mA
I
F
= 20 mA
I
F
= 0 mA
T
C
= 25
O
C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
70
TYPICAL
MAXIMUM
1.0
UNITS
V
V
µ
S
I
R
= 6 mA
P
IN
= 0 dBm
P
IN
= 0 dBm
P
IN
= 0 dBm
f = 8 GHz
f = 8 GHz
f = 8 GHz
20
35
1.0
dB
dB
1.5:1
---
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without
REV. A
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