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MSD30-12

产品描述diode bridge 3ph 1200v 30a sm1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小202KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MSD30-12概述

diode bridge 3ph 1200v 30a sm1

MSD30-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明R-XUFM-D5
针数5
制造商包装代码CASE M1
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最小击穿电压1200 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JESD-30 代码R-XUFM-D5
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量6
相数3
端子数量5
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

MSD30-12相似产品对比

MSD30-12 MSD30-08 MSD30-16 MSD30-18
描述 diode bridge 3ph 1200v 30a sm1 diode bridge 3ph 800v 30a sm1 diode bridge 1600v 30a M1 mod bridge 3ph 1800v 30a M1
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 R-XUFM-D5 R-XXSS-X5 R-XUFM-D5 R-XUFM-D5
针数 5 5 5 5
制造商包装代码 CASE M1 CASE M1 CASE M1 CASE M1
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 1200 V 800 V 1600 V 1800 V
配置 BRIDGE, 6 ELEMENTS BRIDGE, 6 ELEMENTS BRIDGE, 6 ELEMENTS BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V
JESD-30 代码 R-XUFM-D5 R-XXSS-X5 R-XUFM-D5 R-XUFM-D5
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 6 6 6 6
相数 3 3 3 3
端子数量 5 5 5 5
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 30 A 30 A 30 A 30 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SPECIAL SHAPE FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 800 V 1600 V 1800 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG UNSPECIFIED SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UNSPECIFIED UPPER UPPER

 
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