DRAM,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 145125533502 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
Country Of Origin | Taiwan |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 4.95 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 533 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
长度 | 13.5 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR3 DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 96 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 95 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA96,9X16,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 8 |
最大待机电流 | 0.01 A |
最大压摆率 | 0.26 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 7.5 mm |
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