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SH8G41

产品描述TOSHIBA HIGH−SPEED THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小160KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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SH8G41概述

TOSHIBA HIGH−SPEED THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SH8G41规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流50 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流150 mA
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最大通态电流350000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
重复峰值关态漏电流最大值250 µA
断态重复峰值电压400 V
重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
触发设备类型SCR

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SH8G41
TOSHIBA HIGH
SPEED THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SH8G41
FOR AUTOMATIC
STROBE FLASHER APPLICATIONS
−−−
DISCHARGER (Chopper)
l
Type No. SH8G41 is Designed for a Small Package Device Having
ShortedTurn−Off Time and Low Turn−On Loss at High Current.
l
Repetitive Peak Off
State Voltage and Peak Reverse Voltage
: V
DRM
= V
RRM
= 400V
l
Repetitive Peak Surge On
State Current : I
TRM
= 350A
l
Critical Rate of Rise of On
State Current : di/dt = 100A/µs
l
Plastic Mold Package
Unit: mm
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak Off−State and
Reverse Voltage
Non−Repetitive Peak Reverse
Voltage
(Note 1)
Repetitive Peak Surge On−State
Current
(Note 2)
Critical Rate of Rise of On−State
Current
(Note 3)
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Forward Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DRM
V
RRM
V
RSM
I
TRM
di /dt
P
GM
P
G (AV)
I
GM
T
j
T
stg
RATING
400
450
350
100
5
0.5
2
−40~125
−40~125
UNIT
V
V
A
A / µs
W
W
A
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 2.0g
TO−220AB
13−10G1B
Note 1:
Note 2:
Note 3:
Non
Rep. < 5ms, T
j
= 0~125°C
C
M
= 1000µF
i
G
= 100mA
t
gw
= 10µs
t
gr
250ns
1
2001-07-10
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