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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BCR 162F E6327
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BCR 162F E6327

产品描述trans prebias pnp 250mw tsfp-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小808KB，共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
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BCR 162F E6327概述

trans prebias pnp 250mw tsfp-3

BCR 162F E6327规格参数

参数名称属性值
Datasheets
BCR162
Product Photos
TSFP-3
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 28/Feb/2008
Standard Package3,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列
Packaging		Tape & Reel (TR)
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Frequency - Transiti200MHz
Power - Max200mW
Mounting TypeSurface Mou
封装 / 箱体
Package / Case		SOT-723
Supplier Device PackagePG-TSFP-3
Other NamesBCR162FE6327XTSP000014445

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BCR162
PNP Silicon Digital Transistor
•
Switching circuit, inverter, interface circuit,
driver circuit
•
Built in bias resistor
(R
1
= 4.7kΩ ,
R
2
= 4.7kΩ )
•
Pb-free (RoHS compliant) package
•
Qualified according AEC Q101
BCR162
C
3
R
1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
Type
BCR162
Marking
WUs
1=B
Pin Configuration
2=E
2=C
-
-
-
Package
SOT23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Input forward voltage
Input reverse voltage
Collector current
Total power dissipation-
T
S
≤
102°C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
1)
T
j
T
stg
Symbol
R
thJS
150
-65 ... 150
Value
≤
240
Unit
K/W
°C
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
i(fwd)
V
i(rev)
I
C
P
tot
Value
50
50
30
10
100
200
mA
mW
Unit
V
1
2011-08-29

BCR 162F E6327相似产品对比

BCR 162F E6327 BCR 162 B6327
描述 trans prebias pnp 250mw tsfp-3 trans prebias pnp 200mw sot23-3
Standard Package 3,000 30,000
Category Discrete Semiconductor Products Discrete Semiconductor Products
Family Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列
Packaging		 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V 20 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Frequency - Transiti 200MHz 200MHz
Power - Max 200mW 200mW
Mounting Type Surface Mou Surface Mou
封装 / 箱体
Package / Case		 SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package PG-TSFP-3 PG-SOT23-3
Other Names BCR162FE6327XTSP000014445 BCR162B6327XTSP000056352

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