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MT45W1MW16PDGA-70 IT: 产品描述IC psram 16mbit 70ns 48vfbga; 产品类别存储; 文件大小774KB，共29页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/; 标准

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MT45W1MW16PDGA-70 IT概述

IC psram 16mbit 70ns 48vfbga

MT45W1MW16PDGA-70 IT规格参数

参数名称	属性值
Datasheets
MT45W1MW16PDGA
PCN Obsolescence/ EOL
P23Z thru P26Z Series 03/May/2013
Standard Package	1,000
Category	Integrated Circuits (ICs)
Family	Memory
系列 Packaging	Tray
Format - Memory	RAM
Memory Type	PSRAM (Page)
Memory Size	16M (1M x 16)
速度 Speed	70ns
Interface	Parallel
Voltage - Supply	1.7 V ~ 1.95 V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C
封装 / 箱体 Package / Case	48-VFBGA
Supplier Device Package	48-VFBGA (6x8)

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Features

Async/Page CellularRAM™ 1.0 Memory

MT45W1MW16PDGA

Features

• Asynchronous and page mode interface

• Random access time: 70ns

• V

, V

Q voltages

– 1.7V–1.95V V

– 1.7V–3.6V

• Page mode read access:

– 16-word page size

– Interpage read access: 70ns

– Intrapage read access: 20ns

• Low power consumption:

– Asynchronous READ: <20mA

– Intrapage READ: <15mA

– Standby: 70µA

– Deep power-down: <10µA (TYP @ 25°C)

• Low-power features:

– Temperature-compensated refresh (TCR)

– On-chip temperature sensor

– Partial-array refresh (PAR)

– Deep power-down (DPD) mode

Figure 1:

Ball Assignment – 48-Ball VFBGA

LB#

OE#

ZZ#

DQ8

UB#

CE#

DQ0

DQ9

DQ10

DQ1

DQ2

DQ11

A17

DQ3

DQ12

A16

DQ4

DQ14

DQ13

A14

A15

DQ5

DQ6

DQ15

A19

A12

A13

WE#

DQ7

A18

A10

A11

Options

• Configuration

– 1 Meg x 16

• Package

– 48-ball VFBGA (green)

• Access time

– 70ns

• Operating temperature range

– Wireless (–30°C to +85°C)

– Industrial (–40°C to +85°C)

NOTE:

Designator

MT45W1MW16PD

–70

Top View

(Ball Down)

Part Number Example:

MT45W1MW16PDGA-70WT

1. 3.6V I/O and –30°C exceed the CellularRAM

Workgroup 1.0 specifications.

2. Contact factory for availability.

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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Functional Block Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Part Numbering Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Valid Part Number Combinations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Device Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Power-Up Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Bus Operating Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Asynchronous Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Page Mode READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

LB#/UB# Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Low-Power Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Standby Mode Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Temperature-Compensated Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Partial-Array Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Deep Power-Down Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Configuration Register Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Access Using ZZ# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access to the Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Maximum and Typical Standby Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Revision History. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

Figure 13:

Figure 14:

Figure 15:

Figure 16:

Figure 17:

Figure 18:

Figure 19:

Figure 20:

Figure 21:

Figure 22:

Figure 23:

Figure 24:

Ball Assignment – 48-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Functional Block Diagram – 1 Meg x 16. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Part Number Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Power-Up Initialization Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

WRITE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Page READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Software Access PAR Functionality . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Load Configuration Register Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Software Access Read Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Configuration Register Bit Mapping. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Typical Refresh Current vs. Temperature (I

TCR

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

AC Input/Output Reference Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Output Load Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Power-Up Initialization Period . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Deep Power-Down – Entry/Exit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Single READ Operation (WE# = V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

Page Mode READ Operation (WE# = V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

WRITE Cycle (WE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

WRITE Cycle (CE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

WRITE Cycle (LB#/UB# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

48-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

VFBGA Ball Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

16Mb Address Patterns for PAR (CR[4] = 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Electrical Characteristics and Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Maximum Standby Currents for Applying PAR and TCR Settings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

Deep Power-Down Specifications and Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Capacitance Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

READ Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

WRITE Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Load Configuration Register Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Deep Power-Down Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Initialization Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

General Description

Micron

CellularRAM™ products are high-speed, CMOS PSRAM memory devices devel-

oped for low-power, portable applications. The MT45W1MW16PD is a 16Mb DRAM core

device organized as 1 Meg x 16 bits. These devices include the industry-standard, asyn-

chronous memory interface found on other low-power SRAM or pseudo-SRAM offer-

ings.

A user-accessible configuration register (CR) defines how the CellularRAM device per-

forms on-chip refresh and whether page mode read accesses are permitted. This register

is automatically loaded with a default setting during power-up and can be updated at

any time during normal operation.

To operate seamlessly on an asynchronous memory bus, CellularRAM products incor-

porate a transparent self-refresh mechanism. The hidden refresh requires no additional

support from the system memory controller and has no significant impact on device

read/write performance.

Special attention has been focused on current consumption during self refresh. Cellular-

RAM products include three system-accessible mechanisms to minimize refresh cur-

rent. Temperature-compensated refresh (TCR) uses an on-chip sensor to adjust the

refresh rate to match the device temperature. The refresh rate decreases at lower tem-

peratures to minimize current consumption during standby. TCR can also be set by the

system for maximum device temperatures of +85°C, +45°C, and +15°C. Setting sleep

enable (ZZ#) to LOW enables one of two low-power modes: partial-array refresh (PAR) or

deep power-down (DPD). PAR limits refresh to only that part of the DRAM array that

contains essential data. DPD halts refresh operation altogether and is used when no vital

information is stored in the device. These three refresh mechanisms are accessed

through the CR.

Functional Block Diagram

Figure 2:

Functional Block Diagram – 1 Meg x 16

A[19:0]

Address Decode

Logic

1,024K x 16

DRAM

Memory

Array

Input/

Output

MUX

and

Buffers

DQ[7:0]

DQ[15:8]

Configuration

CE#

WE#

OE#

UB#

LB#

ZZ#

Control

Logic

Note:

Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth table, ball

descriptions, and timing diagrams for detailed information.

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MT45W1MW16PDGA-70 IT相似产品对比

	MT45W1MW16PDGA-70 IT	MT45W1MW16PDGA-70 IT TR	MT45W1MW16PDGA-70 WT TR
描述	IC psram 16mbit 70ns 48vfbga	IC psram 16mbit 70ns 48vfbga	IC psram 16mbit 70ns 48vfbga
Standard Package	1,000	1,000	1
Category	Integrated Circuits (ICs)	Integrated Circuits (ICs)	Integrated Circuits (ICs)
Family	Memory	Memory	Memory
系列 Packaging	Tray	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Format - Memory	RAM	RAM	RAM
Memory Type	PSRAM (Page)	PSRAM (Page)	PSRAM (Page)
Memory Size	16M (1M x 16)	16M (1M x 16)	16M (1M x 16)
速度 Speed	70ns	70ns	70ns
Interface	Parallel	Parallel	Parallel
Voltage - Supply	1.7 V ~ 1.95 V	1.7 V ~ 1.95 V	1.7 V ~ 1.95 V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C	-30°C ~ 85°C
封装 / 箱体 Package / Case	48-VFBGA	48-VFBGA	48-VFBGA
Supplier Device Package	48-VFBGA (6x8)	48-VFBGA (6x8)	48-VFBGA (6x8)

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Verilog代码里面assign后面的变量不用提前声明一下吗？: 来看一个Synchronized Asynchronous Reset例子，Verilog代码如下： module prac ( clk, reset_n, dataa, datab, outa, outb ); ......; 3mao 嵌入式系统

SIMATIC S7-1500 PLC左移指令（SHL）及样

TIA博途软件位移指令能将将累加器的内容逐位向左或者向右移动。移动的位数由N决定，向左移N位相当于累加器的内容乘以2N，向右移相当于累加器的内容处理2N。移位指令在逻辑控制中使用也很方便。 (1)左移指令(SHL) 当左移指令（SHL）的EN位为高电平“1”时，将执行移位指令，将IN端制定的内容送入累加器1低字中，并左移N端制定的位数，然后写入OUT端指令的目的地址中，左移指令（SHL）和参...[详细]
基于单片机的FLAC高保真数字音频播放器设计

一、项目概述 1.1 引言目前，大部分的音乐文件都是以mp3格式来保存的，mp3是一种有损的音频压缩格式，它无法完美地再现原版音乐。随着存储器容量的扩大、网络带宽的增加、处理器性能的增强以及人们对生活品质要求的提高，无损音乐越来越受到人们的青睐，对无损音乐播放器的需求也就越来越大。 1.2 项目背景/选题动机我们希望能在 AVR 单片机上实现一个“FLAC高保真音频播放器”。播放器用...[详细]
莱迪思将举办关于最新小型、低功耗FPGA创新的网络研讨会

中国上海——2025年8月26日——莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商宣布，公司将举办网络研讨会，探讨其基于屡获殊荣的Lattice Nexus™ FPGA产品系列的小型FPGA的最新扩展。本次直播将对新推出的莱迪思Certus™-NX和莱迪思MachXO5™-NX FPGA器件进行深入的技术介绍，这些新拓展的器件提供了高I/O密度、低功耗和增强的安全功能。莱迪思专家还将介...[详细]
苹果印度扩张计划遇到新麻烦，富士康被曝在当地召回约 300 名中国工程师

8 月 25 日消息，苹果在印度的扩张遇到新麻烦。据彭博社报道，富士康科技集团已从印度召回约 300 名中国工程师，使苹果在当地的生产计划再度受阻。这些工程师来自富士康旗下裕展科技位于泰米尔纳德邦的工厂，这是数月以来第二次发生类似情况。裕展工厂主要生产旧款 iPhone 的金属外壳和显示模组，并未参与新一代 iPhone 17 的制造。该工厂才投产数月，而苹果的显示器依旧大量依赖进口。苹果...[详细]
电动汽车以什么样的充电方式才是最合适的

电动汽车续航里程越来越长，普及率越来越高。电动汽车充电有两种方式慢充和快充,哪一种方式最合适呢？慢充，就是采用交流220V或三相380V（普通家用照明电源或动力电源）使用输出功率为5kW左右的充电器给电动汽车充电。快充就是利用充电桩进行直流充电，插头接电动汽车的直流充电口进行充电，根据充电桩的功率可达30KW~60KW。电动汽车是以电动机动力行驶的汽车，而车载蓄电池是为电动机提供电能的核心...[详细]
是德科技携手新思科技运用AI进行射频设计迁移

是德科技将其电磁仿真器与新思科技的 AI 驱动射频设计迁移流程相结合，打造集成设计流程，助力从台积电 (TSMC) 的 N6RF+ 工艺技术迁移到 N4P 工艺技术。该迁移工作流程基于晶圆代工厂的模拟设计迁移 (ADM) 方法，旨在简化无源器件和设计组件的重新设计，使其符合先进的射频工艺规则。是德科技表示，该协作迁移工作流程充分利用了 N4P 工艺的性能提升，用于从 N6RF+ 迁移...[详细]
Plessey Semiconductors 被中国资本收购

Plessey Semiconductors 已被 Haylo Labs 收购。Haylo Labs 成立于去年 3 月，由中国科技公司歌尔股份提供 1 亿美元五年期贷款。 Haylo Labs 五个月前由成立两年的风险投资基金 Haylo Ventures 创立。Haylo Ventures 表示：“我们认识到整合分散但前景广阔的 MicroLED 行业的必要性，因此成立了 Haylo L...[详细]
车规芯片掀 “中国速度”，ST未来三年将推70款车规MCU

“目前，针对EMB线控制动的专用芯片，我们成功推出第一版产品。第二代样品也已顺利成型，现阶段正积极规划第三代高度集成的解决方案，期望在实现成本优化的同时，进一步提升其安全性。”日前，意法半导体（ST）在上海扩建升级的新能源汽车创新中心正式向媒体开放的当日，ST中国区汽车电子&上海新能源汽车创新中心应用总监姜炯迪向盖世汽车透露道。而这，亦不过是ST面向中国新能源汽车创新的众多...[详细]
快速入门 | 篇十五：运动控制器运动缓冲简介

之前正运动技术与大家分享了，运动控制器的固件升级、ZBasic程序开发、ZPLC程序开发、与触摸屏通讯和输入/输出IO的应用、运动控制器数据与存储的应用、运动控制器ZCAN、EtherCAT总线的使用、示波器的应用、多任务运行的特点、运动控制器中断的应用、U盘接口的使用、ZDevelop 编程软件的使用以及运动控制器的基础轴参数与基础运动控制指令等。今天，我们来讲解一下正运动技术运动控制器...[详细]
铅酸电池和锂电池对于新能源汽车哪个性价比高

电池作为新能源汽车的核心，关乎车辆的用车和续航，根据现有汽车电池的种类来说分为铅酸电池以及锂电池等各类的电池，当前，新能源汽车是以锂电池作为车辆的动力电池。而采用铅酸电池的基本上是以低速电动汽车为主，例如老年代步车等，而对于新能源汽车来说，使用铅酸电池和锂电池哪个性价比更高？根据电池的特征来说，自然是锂电池的性价比要高，首先从锂电池是由金属元素构成电池的电芯，依靠锂离子在正极和负极之间移动...[详细]
探索当今TWS耳机的混合设计配置及OEM面临的工程挑战

消费者对高端聆听体验的需求推动无线耳机市场近年来快速迭代。混合设计在每只耳机中采用两种驱动单元，以提升音质、功能和佩戴舒适度。随着原始设备制造商（OEM）力求超越消费者预期并在市场中保持竞争力，这类设计正日益普及。真无线立体声（TWS）耳机领域正加速采用混合设计。混合方案的兴起促使 TWS 耳机经历重大技术重构，不仅影响制造商的产品架构，更为消费者带来显著优化的声音体验。本文将概述当今 T...[详细]
完整解决方案打包奉送：多点触控智能家居平台软硬件实现

　　绪论　　近年来，多点触控(Multi-Touch)成为了代替人机交互传统方式的新方式。它抛弃了键盘，鼠标，实现了多人同时交互，是人机交互的一场革命性创新。但可惜的是，该项技术还处在初级阶段，Multi-Touch的产品很多还只是面向高端或军工用户，价格十分高昂。这对广大消费者来说都是不能承受的。此外，目前基于Multi-Touch应用的软件业相当较少，且大多数停留在游戏娱乐的功能上，这样也...[详细]
数字电路中小数的操作

　　简介：在数字电路的运算中，没有小数点概念的，小数你知道在哪个位置，但是电路不知道小数点的位置，所以你要想法让电路在不知道小数点的情况下仍然能够运算出你想要的结果。这里就要进行小数点对齐。　　1,小数的运算　　在数字电路的运算中，没有小数点概念的，小数你知道在哪个位置，但是电路不知道小数点的位置，所以你要想法让电路在不知道小数点的情况下仍然能够运算出你想要的结果。这里就要进行小数点对齐...[详细]
以高整合度混合信号单片机实现两线式Force Sensor应用设计

　　1. 内容简介　　在2015年，苹果新一代的MacBook和Apple Watch皆搭载压力触控感应技术，它被Apple称为Force Touch，用户每次按下触控板之后除了可以在萤幕看见视觉回馈，它同时能够分辨出用户点按的力度强弱来做出一系列的相关操控与应用。而本文将介绍以HY16F184内建高精密Sigma-delta 24 Bit ADC搭配Uneo Force Sensor来实现一...[详细]
人脸识别是如何实现的?

　人脸识别，一种基于人的脸部特征信息进行身份认证的生物特征识别技术。近年来，随着欧美发达国家人脸识别技术开始进入实用阶段后，人脸识别迅速成为近年来全球的一个市场热点。　　人脸识别技术包含三个部分：　　1.人脸检测　　面貌检测是指在动态的场景与复杂的背景中判断是否存在面像，并分离出这种面像。一般有下列几种方法：　　①参考模板法　　首先设计一个或数个标准人脸的模板，然后计算测试采集的样...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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