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MT45W1MW16PDGA-70 IT TR: 产品描述IC psram 16mbit 70ns 48vfbga; 产品类别存储; 文件大小774KB，共29页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/; 标准

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MT45W1MW16PDGA-70 IT TR概述

IC psram 16mbit 70ns 48vfbga

MT45W1MW16PDGA-70 IT TR规格参数

参数名称	属性值
Datasheets
MT45W1MW16PDGA
Product Photos
48 VFBGA Package
PCN Obsolescence/ EOL
P23Z thru P26Z Series 03/May/2013
Standard Package	1,000
Category	Integrated Circuits (ICs)
Family	Memory
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)
Format - Memory	RAM
Memory Type	PSRAM (Page)
Memory Size	16M (1M x 16)
速度 Speed	70ns
Interface	Parallel
Voltage - Supply	1.7 V ~ 1.95 V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C
封装 / 箱体 Package / Case	48-VFBGA
Supplier Device Package	48-VFBGA (6x8)

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Features

Async/Page CellularRAM™ 1.0 Memory

MT45W1MW16PDGA

Features

• Asynchronous and page mode interface

• Random access time: 70ns

• V

, V

Q voltages

– 1.7V–1.95V V

– 1.7V–3.6V

• Page mode read access:

– 16-word page size

– Interpage read access: 70ns

– Intrapage read access: 20ns

• Low power consumption:

– Asynchronous READ: <20mA

– Intrapage READ: <15mA

– Standby: 70µA

– Deep power-down: <10µA (TYP @ 25°C)

• Low-power features:

– Temperature-compensated refresh (TCR)

– On-chip temperature sensor

– Partial-array refresh (PAR)

– Deep power-down (DPD) mode

Figure 1:

Ball Assignment – 48-Ball VFBGA

LB#

OE#

ZZ#

DQ8

UB#

CE#

DQ0

DQ9

DQ10

DQ1

DQ2

DQ11

A17

DQ3

DQ12

A16

DQ4

DQ14

DQ13

A14

A15

DQ5

DQ6

DQ15

A19

A12

A13

WE#

DQ7

A18

A10

A11

Options

• Configuration

– 1 Meg x 16

• Package

– 48-ball VFBGA (green)

• Access time

– 70ns

• Operating temperature range

– Wireless (–30°C to +85°C)

– Industrial (–40°C to +85°C)

NOTE:

Designator

MT45W1MW16PD

–70

Top View

(Ball Down)

Part Number Example:

MT45W1MW16PDGA-70WT

1. 3.6V I/O and –30°C exceed the CellularRAM

Workgroup 1.0 specifications.

2. Contact factory for availability.

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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Functional Block Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Part Numbering Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Valid Part Number Combinations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Device Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Power-Up Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Bus Operating Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Asynchronous Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Page Mode READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

LB#/UB# Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Low-Power Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Standby Mode Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Temperature-Compensated Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Partial-Array Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Deep Power-Down Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Configuration Register Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Access Using ZZ# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access to the Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Maximum and Typical Standby Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Revision History. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

Figure 13:

Figure 14:

Figure 15:

Figure 16:

Figure 17:

Figure 18:

Figure 19:

Figure 20:

Figure 21:

Figure 22:

Figure 23:

Figure 24:

Ball Assignment – 48-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Functional Block Diagram – 1 Meg x 16. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Part Number Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Power-Up Initialization Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

WRITE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Page READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Software Access PAR Functionality . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Load Configuration Register Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Software Access Read Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Configuration Register Bit Mapping. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Typical Refresh Current vs. Temperature (I

TCR

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

AC Input/Output Reference Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Output Load Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Power-Up Initialization Period . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Deep Power-Down – Entry/Exit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Single READ Operation (WE# = V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

Page Mode READ Operation (WE# = V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

WRITE Cycle (WE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

WRITE Cycle (CE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

WRITE Cycle (LB#/UB# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

48-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

VFBGA Ball Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

16Mb Address Patterns for PAR (CR[4] = 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Electrical Characteristics and Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Maximum Standby Currents for Applying PAR and TCR Settings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

Deep Power-Down Specifications and Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Capacitance Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

READ Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

WRITE Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Load Configuration Register Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Deep Power-Down Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Initialization Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

General Description

Micron

CellularRAM™ products are high-speed, CMOS PSRAM memory devices devel-

oped for low-power, portable applications. The MT45W1MW16PD is a 16Mb DRAM core

device organized as 1 Meg x 16 bits. These devices include the industry-standard, asyn-

chronous memory interface found on other low-power SRAM or pseudo-SRAM offer-

ings.

A user-accessible configuration register (CR) defines how the CellularRAM device per-

forms on-chip refresh and whether page mode read accesses are permitted. This register

is automatically loaded with a default setting during power-up and can be updated at

any time during normal operation.

To operate seamlessly on an asynchronous memory bus, CellularRAM products incor-

porate a transparent self-refresh mechanism. The hidden refresh requires no additional

support from the system memory controller and has no significant impact on device

read/write performance.

Special attention has been focused on current consumption during self refresh. Cellular-

RAM products include three system-accessible mechanisms to minimize refresh cur-

rent. Temperature-compensated refresh (TCR) uses an on-chip sensor to adjust the

refresh rate to match the device temperature. The refresh rate decreases at lower tem-

peratures to minimize current consumption during standby. TCR can also be set by the

system for maximum device temperatures of +85°C, +45°C, and +15°C. Setting sleep

enable (ZZ#) to LOW enables one of two low-power modes: partial-array refresh (PAR) or

deep power-down (DPD). PAR limits refresh to only that part of the DRAM array that

contains essential data. DPD halts refresh operation altogether and is used when no vital

information is stored in the device. These three refresh mechanisms are accessed

through the CR.

Functional Block Diagram

Figure 2:

Functional Block Diagram – 1 Meg x 16

A[19:0]

Address Decode

Logic

1,024K x 16

DRAM

Memory

Array

Input/

Output

MUX

and

Buffers

DQ[7:0]

DQ[15:8]

Configuration

CE#

WE#

OE#

UB#

LB#

ZZ#

Control

Logic

Note:

Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth table, ball

descriptions, and timing diagrams for detailed information.

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MT45W1MW16PDGA-70 IT TR相似产品对比

	MT45W1MW16PDGA-70 IT TR	MT45W1MW16PDGA-70 IT	MT45W1MW16PDGA-70 WT TR
描述	IC psram 16mbit 70ns 48vfbga	IC psram 16mbit 70ns 48vfbga	IC psram 16mbit 70ns 48vfbga
Standard Package	1,000	1,000	1
Category	Integrated Circuits (ICs)	Integrated Circuits (ICs)	Integrated Circuits (ICs)
Family	Memory	Memory	Memory
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)	Tray	Cut Tape (CT)
Format - Memory	RAM	RAM	RAM
Memory Type	PSRAM (Page)	PSRAM (Page)	PSRAM (Page)
Memory Size	16M (1M x 16)	16M (1M x 16)	16M (1M x 16)
速度 Speed	70ns	70ns	70ns
Interface	Parallel	Parallel	Parallel
Voltage - Supply	1.7 V ~ 1.95 V	1.7 V ~ 1.95 V	1.7 V ~ 1.95 V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C	-30°C ~ 85°C
封装 / 箱体 Package / Case	48-VFBGA	48-VFBGA	48-VFBGA
Supplier Device Package	48-VFBGA (6x8)	48-VFBGA (6x8)	48-VFBGA (6x8)

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电子元器件失效分析与典型案例: 本书系统地介绍了电子元器件失效分析技术及典型分析案例。全书分为基础篇和案例篇。基础篇阐述电子元器件失效分析的目的和意义、失效分析程序、失效分析技术以及失效分析主要仪器设备与工具；案 ......; arui1999 下载中心专版

AI造车第一车企，造出全球首个AI座舱

如果说汽车的终极形态是硅基生命体，那么在智能驾驶领域，它已经逐渐具备了「老司机」的样貌；而在智能座舱领域，它同样需要像一个人，甚至像一个「老朋友」。这是 AI 类人化演进的必然结果。从 DeepSeek 到 Manus，大模型的突破不断释放出深度思考、逻辑推理和执行决策的能力。而这些能力，唯有在智能座舱这一超级应用场景中，才能得到充分落地与扩展。在吉利发布的 Flyme Aut...[详细]
保养焊炉，保证质量：回流焊炉膛清理的必要性与方法

回流焊是电子组装生产中的关键工艺之一，而回流焊炉膛的清洁程度对产品的质量具有直接影响。炉膛内的积灰和残留物可能导致不良焊接或短路等问题。因此，定期清理回流焊炉膛是保证生产质量和效率的必要步骤。本文将介绍回流焊炉膛的清理方法。首先，进行安全检查。在清理之前，一定要关闭并断开回流焊炉的电源，以防止意外触电。同时，确保炉膛内温度降至安全范围，以防烫伤。接下来，先进行粗清洁。使用刮刀或金属刷...[详细]
一种基于GPRS的嵌入式电话报警系统设计

为了实现对家居环境安全状况实时的监控以及在发生警情时能自动拨号进行语音提示或发送报警短信，设计了一种基于GPRS的嵌入式电话报警系统。该系统以 SoC ( 在片系统) 单片机 C8501F020 为控制与处理核心，并利用2. 4 GHz 数字无线传输技术连接传感器，接收传感器采集的信号，对周围环境进行监控。同时，该系统结合GPRS短信功能和固定电话网络，实现报警信息的可靠传递和远...[详细]
家电设计——安全至关重要！

　　我们正进入人类能以更低廉价格拥有更多电子产品的新时代。电子产品已经成为我们生活的必需品。举例来说，普通消费者现在都拥有冰箱、洗衣机、咖啡机等。将分离式IC带来的智能特性集成到电器中，能够改进用户体验，提供电子控制、触摸用户界面和高级显示等功能。这些特性非常有用，而安全性也是消费者关注的重点。没有人希望电器构成安全威胁。　　目前许多家用电器都采用微控制器，如果微控制器出现问题，就可能发生...[详细]
阿童木发布移动协作码垛机器人新品

近日，辰星自动化旗下品牌阿童木机器人推出移动版协作码垛新品，通过全向移动底盘、智能调度系统与人机交互技术突破，显著提升跨产线协作能力。该产品将传统码垛产线切换时间从2-8小时缩短至5-10分钟，设备日均利用率提升至85%（传统模式为55%），覆盖面积扩大5-20倍。该款移动版协作码垛机器人采用全向移动底盘设计，支持在狭窄通道内自由行进、旋转及跨楼层作业，单台覆盖面积达200-100...[详细]
车规芯片掀 “中国速度”，ST未来三年将推70款车规MCU

“目前，针对EMB线控制动的专用芯片，我们成功推出第一版产品。第二代样品也已顺利成型，现阶段正积极规划第三代高度集成的解决方案，期望在实现成本优化的同时，进一步提升其安全性。”日前，意法半导体（ST）在上海扩建升级的新能源汽车创新中心正式向媒体开放的当日，ST中国区汽车电子&上海新能源汽车创新中心应用总监姜炯迪向盖世汽车透露道。而这，亦不过是ST面向中国新能源汽车创新的众多...[详细]
电动汽车的耗电速度受什么因素影响

轮胎对于汽车来说，是很重要的一个部件，关乎车辆的用车体验，我们在日常生活中和汽车几乎是分不开的对于轮胎来说，根据轮胎对于车辆在行车当中的作用来说，轮胎越大对于车辆的稳定性就越好，但是不足点就是车辆会导致车辆的对于车辆的在运转的过程当中加大轮胎与路面之间的阻力，而不管是纯电动汽车还是燃油车，都会有这种的影响，对于电动汽车来说，轮胎越大是费电的。首先从轮胎的结构上面来说，轮胎在结构上面，是由轮...[详细]
变频空调开关电源电路开关芯片炸失效分析与研究

引言　　变频空调是时代发展趋势，已经逐步普及走进千家万户，空调除了具有基本的制冷、制热作用外，其功能日益多样化。要求也提高：节能、环保、舒适、低分贝、用户触控体验效果。实现这些功能离不开高可靠性的控制器系统,其中开关电源供电系统在控制器中承担关键作用，为各电路正常工作提供电源，使各单元电路按照整体系统设计控制目标完成相应的控制、检测、保护等，完成空调各种功能如制冷、制热、扫风、显示等的目的，以...[详细]
人脸识别是如何实现的?

　人脸识别，一种基于人的脸部特征信息进行身份认证的生物特征识别技术。近年来，随着欧美发达国家人脸识别技术开始进入实用阶段后，人脸识别迅速成为近年来全球的一个市场热点。　　人脸识别技术包含三个部分：　　1.人脸检测　　面貌检测是指在动态的场景与复杂的背景中判断是否存在面像，并分离出这种面像。一般有下列几种方法：　　①参考模板法　　首先设计一个或数个标准人脸的模板，然后计算测试采集的样...[详细]
新思科技介绍448G SerDes进展

高速网络的演进之路仍由一贯的核心目标所指引：提升数据速率、降低延迟、提高可靠性、降低功耗，并在控制成本的同时维持或扩展传输距离。对于下一代高速互连而言，这些需求体现在 448G 高性能串行器 / 解串器（SerDes）的开发中。它将成为以太网扩展至 1.6T 以上的基础电气层，同时也为人工智能（AI）、存储和云规模计算中的其他先进互连架构提供支持。每一代技术要实现这些核心目标都变得愈发复杂...[详细]
干货 | LS1028A-C如何输出PWM方波？

最近，我收到了一个使用OK1028A-C输出pwm方波的需求.但是发现OK1028平台没有相关的说明，于是我着手写下了这篇文章。在查阅OK1028A-C原理图和《QorIQ LS1028A Reference Manual》后得知，LS1028默认有8个FlexTimer (FTM) ，每个FTM有8路pwm。默认背光采用的是FTM1产生的pwm，我们使用FTM7做pwm测试。如下图...[详细]
华为余承东演示鸿蒙智行空气悬架：语音控制自动调节底盘高度

8月19日，华为常务董事、终端BG董事长余承东在微博分享了与尊界S800车主的交流经历。车主从北京出发，已行驶5000多公里，却不知如何调节底盘高度。余承东亲自上车演示，并提醒鸿蒙智行车主，只要车上带空气悬架，野外自驾时可以和小艺说“升高底盘”，空气悬架就会自动调节到所需高度，脱困时也可以抬升底盘高度。尊界汽车官方微博8月13日发布了尊界S800汽车的8月OTA体验升级亮点，其中提到新版本新增...[详细]
转子平衡的选择与确定转子动平衡技术的方法

一. 静平衡静平衡在转子一个校正面上进行校正平衡，校正后的剩余不平衡量以保证转子在静态时是在许用不平衡量的规定范围内，称为静平衡又称单面平衡。二. 动平衡动平衡在转子两个或者两个以上校正面上同时进行校正平衡，校正后的剩余不平衡量以保证转子在动态时是在许用不平衡量的规定范围内，称为动平衡又称双面或者多面平衡。三. 转子平衡的选择与确定如何选择转子的平衡方式，是一个关键问题。其选择...[详细]
推动在智能制造中实现更高水平的灵活性、生产力和可持续性

智能运动控制在智能制造中的重要性智能运动控制是智能制造的核心构建模块，可实现高度灵活的高效制造。智能运动控制融合了精确反馈、先进感知、高性能控制和无缝连接技术，可提供确定性运动解决方案。利用PLC和制造执行系统(MES)运动洞察信息的无缝连接执行高级分析，以优化制造流程，及早识别潜在问题避免停产。使用智能运动控制的智能制造可以快速重新配置，以支持更敏捷和可扩展的制造，包括批量大小为1的生产。通...[详细]
新能源电动汽车的缺点主要体现在哪些方面

新能源电动汽车节能，环保，用车成本低，以及享受国家政策的大力支持，随着新能源电动汽车的销售增长，对于新能源电动汽车的选择上面来说，也吸引了越来越多的人选择，从新能源电动汽车优点上面来说，占有的优点有很多，但电动汽车有优点也就有缺点。从电动汽车的缺点上面来说，首先车辆的充电速度慢，对于电动汽车来说，虽然有快充和慢充，但是从快充的角度上面而言，并不能像燃油车加油那样的快，一般正常的充电时间为8...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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