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人工智能的演进需要高适应性的推理平台（WP023） 模型大小不断增长给现有架构带来了挑战 深度学习对计算能力的需求正以惊人的速度增长，其近年来的发展速度已从每年翻一番缩短到每三个月翻一番。深度神经网络（DNN）模型容量的不断提升，表明从自然语言处理到图像处理的各个领域都得到了改进——深度神经网络是诸如自动驾驶和机器人等实时应用的关键技术。例如，Facebook的研究表明，准确率与模型大小...[详细]

黑客，是一个英文音译过来的中文，它的英文是hacker，说的就是那些对计算机科学、编程和设计方面具高度理解，而且喜欢用自己的才能在网络上搞事情的人。 虽然是这么说，但是黑客也分厉害和菜鸟的级别。菜鸟黑客，基本就是键盘侠一样的存在，他们只会坐在电脑前，用别人的程序黑黑网站，放病毒木马，更赚不了什么大钱。 但是，我们今天要说的这个小伙子，可不是我们平常看到的那种菜鸟黑客，而是真正的天才黑客。...[详细]

2019年7月17日，由工业和信息化部指导，IMT-2020(5G)推进组和中国通信标准化协会主办的“2019年IMT-2020(5G)峰会”在京举办。IMT-2020(5G)推进组详细介绍了IMT-2020(5G)推进组最新的工作进展，其中就提到，要分阶段推进5G毫米波技术研发试验。 目前，3GPP R15毫米波频段定义已经完成，随着我国5G产业进入新里程，毫米波技术势必会迎来一轮热潮。2...[详细]

随终端市场爆发式增长，台湾集成电路产能向大陆转移广度和深度不断加大，转移的产业链环节已经由下游组装、封测逐渐进入到上游设计、制造环节，对电子化学材料的需求也趋向更加核心和高附加值化。类似美日对本国半导体产业的扶持，我国成立千亿级国家集成电路产业基金，在国家战略层面对半导体业进行重点扶持，投资涉足产业链各环节，电子材料企业将受益国产化。 半导体产能全面转移，材料需求更趋核心与高技术 国家集成电...[详细]

半导体工艺迈过20nm大关之后，各大巨头似乎都被1Xnm工艺忙得焦头烂额。前有台积电16nm连续跳票、第三季度才能量产，后有三星14nm FinFET工艺克服此前问题刚刚上道。而近日在半导体工艺遥遥领先的英特尔也有些力不从心，Intel CEO科再奇近日的谈话暗示，英特尔10nm 还在继续研究，尚未确立时间表 。 据悉，如果按照原先的Tick-Tock发展模式，后续进展顺利的话，Inte...[详细]

双栅极SET 与MOSFET 的混合特性 　　由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET 通用方波电路 ，它是构成逻辑门电路的基本单元，如图2 所示。 　　 　　图中双栅SET/MOSFET 的通用方波电路由SET、MOSFET 和恒流源构成。SET 的漏极电压由Vgg 控制，Vgg-Vth 要足够低以确保SET 漏源电压近似恒定工作在库...[详细]

NI，软件定义平台的领先供应商，助力于加速自动化测试和自动化测量系统的开发进程和性能提升，推出了针对电动汽车（EV）动力总成组件硬件在环（HIL）验证的全新解决方案。 政府要求降低排放和提高能效，这给汽车制造商带来了巨大的压力，他们必须尽快将电动汽车推向市场。对于动力总成测试工程师来说，向电动汽车快速过渡意味着新技术跨越式地发展演进，对应测试需求的变化也越来越快。 与提供交钥匙固定功能测...[详细]

　　由于对3D NAND和DRAM设备的巨大需求，Fab供应商在2017年迎来了一个繁荣周期。然而，在逻辑/ 晶圆 设备中，设备需求在2017年仍相对不温不火。在2018年，设备需求看起来强劲，尽管该行业将很难超过2017年所创下的纪录。事实上，根据目前的预测，IC设备市场预计将在2018年降温，而后转为较正常增长模式。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 　　根据VLSI研究数据显示...[详细]

空气产品公司宣布其在国内获得了一家全球印刷电路版(PCB)龙头企业和代工巨头授予的又一项长期现场制气合同。新签合同将进一步提升公司为该客户，以及快速发展的电子市场现场供气的强大能力和领先地位。 空气产品公司将在客户现场增设一套大型高纯制氮装置，来支持该PCB制造商和代工企业在华北地区的扩产。这套新设施与过去三年在全国相继投产的多套现有制氮装置相结合，将大大提高公司为该客户的供气量。 除气体...[详细]

    诺基亚挤走宏达电、7月更抢下全球微软智能型手机市场近6成占有率后，根据市场调查机构Localytics资料显示，7月份宏达电在美国的微软智能机市场，也仅以4个百分点的差距领先诺基亚、勉强保住一哥宝座。随著诺基亚、宏达电都将在9月发表新款WP8高阶机种，宏达电能否扳回一城，有待观察。     　宏达电长年以来一直保有微软智能型手机的一哥，然而，诺基亚去年底推出首款采用微软WP7操作系统的高阶...[详细]

　 储存处理器针对桌上型计算机主机板提供随插即用的磁盘阵列备份功能 全球高分辨率内容传输、播放与储存技术领导厂商 Silicon Image （美商晶像），宣布全球最大的个人计算机主机板制造商华硕计算机（ ASUSTek Computer, Inc. ），选用 SiI 4723 SteelVine? 储存处理器，为其数字家庭 P5W DH Deluxe 桌上型主机板，提供简单易用的 RAID...[详细]

    摘要： 采用什么样的网络结构是第三代移动通信系统的一个重要问题，本文对第三代移动通信系统中UMTS的网络结构，包括接入网、标准Iu接口和核心网的结构、功能进行了深入的探讨，并提出了一些有待进一步研究的问题。     关键词： UMTS 无线接入网 核心网 Iu接口 IP 第三代移动通信系统的研究工作正在世界范围内进行。如未来公共陆地移动通信系统（FPLMTS）；国际电...[详细]

摘要：探讨了一种适合MHz级高频逆变器的无损谐振极电容缓冲器。详细分析了逆变器的换流过程，研究了不同谐振极电容值对器件关断损耗和总体损耗的影响，给出了设计方法。仿真和实验波形证明了理论分析的正确性。 关键词：高频逆变器；电容缓冲电路；换流过程；无损 　 1    引言     随着快速开关器件(如功率MOSFET)的出现，使高频感应加热电源的实现成为可能。串联谐振逆变器是...[详细]

#include reg52.h //52系列 单片机 头文件 #include intrins.h //C51库自带头文件 #define uchar unsigned char //宏定义无符号字符型为uchar #define uint unsigned int //宏定义无符号整型为uint void delay(uint z); //声明延时函数 uchar aa;...[详细]

器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年10月24日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A 。Vishay VOFD341A和VO...[详细]