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CMPT591E: 产品描述SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小100KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMPT591E概述

SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

CMPT591E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz

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CMPT591E

SURFACE MOUNT

PNP SILICON TRANSISTOR

Central

DESCRIPTION:

Semiconductor Corp.

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT591E

type is a PNP silicon transistor manufactured by

the epitaxial planar process, epoxy molded in a

surface mount package, designed for high

current, general purpose amplifier applications.

Marking Code is C59.

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

SYMBOL

Collector-Base Voltage

VCBO

Collector-Emitter Voltage

VCEO

Emitter-Base Voltage

VEBO

Collector Current

Base Current

Collector Current (Peak)

ICM

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

TJ,Tstg

Thermal Resistance

5.0

1.0

200

2.0

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

ICBO

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

VBE(ON)

hFE

Cob

TEST CONDITIONS

VCB=60V

VEB=4.0V

IC=100µA

IC=10mA

IE=100µA

IC=500mA, IB=50mA

IC=1.0A, IB=100mA

VCE=5.0V, IC=1.0A

VCE=5.0V, IC=1.0mA

VCE=5.0V, IC=500mA

VCE=5.0V, IC=1.0A

VCE=5.0V, IC=2.0A

VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz

MIN

MAX

100

UNITS

5.0

0.20

0.40

1.1

1.0

200

150

600

MHz

R2 ( 30-August 2001)

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描述	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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