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CMKD6263

产品描述ULTRAmini. TRIPLE ISOLATED HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小107KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMKD6263概述

ULTRAmini. TRIPLE ISOLATED HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE

CMKD6263规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SOT-363, 6 PIN
针数6
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW FORWARD VOLTAGE
应用FAST RECOVERY
最小击穿电压70 V
配置SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.41 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流0.05 A
元件数量3
相数1
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.015 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向电流0.2 µA
最大反向恢复时间0.005 µs
反向测试电压50 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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CMKD6263
ULTRAmini
TRIPLE ISOLATED
HIGH VOLTAGE
SCHOTTKY DIODE
Central
FEATURES:
TM
Semiconductor Corp.
MEETS GALVANIC ISOLATION
REQUIREMENTS OF IEEE 1394
HIGH VOLTAGE (70V)
ULTRAmini™ PACKAGE
REQUIRES LESS BOARD SPACE THAN 3
INDIVIDUAL DIODES
LOW FORWARD VOLTAGE
SOT-363 CASE
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKD6263 contains three Galvanically isolated, High Voltage Silicon
Schottky diodes, epoxy molded in an ULTRAmini™ surface mount package, designed for fast switching
applications requiring a low forward voltage drop. MARKING CODE: K63.
MAXIMUM RATINGS:
PER DIODE (TA=25 °C)
SYMBOL
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Forward Surge Current, tp=1.0 s
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
500
°C
°C/W
VRRM
IF
IFSM
PD
70
15
50
250
UNITS
V
mA
mA
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
PER DIODE (TA=25°C)
SYMBOL
BVR
VF
IR
CT
trr
TEST CONDITIONS
IR=10µA
IF=1.0mA
VR=50V
VR=0V, f=1.0MHz
I
R
=I
F
=10mA, I
rr
=1mA, R
L
=100Ω
MIN
70
395
98
410
200
2.0
5.0
TYP
MAX
UNITS
V
mV
nA
pF
ns
R0 ( 30-August 2001)

 
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