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G3S06004J

产品描述直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):11A 正向压降(Vf):1.7V @ 4A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小1MB,共5页
制造商泰科天润(GPT)
官网地址https://www.globalpowertech.cn/
泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology)是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内,园区环境优雅。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺,并拥有目前国内唯一一条碳化硅器件生产线。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司,泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表,其中600V/5A~50A,1200V/5A~50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二极管产品已经投入批量生产,产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。泰科天润通过与产业同行、科研院所、国内外专家共同探索与开发,正在将SiC功率器件推广到更多更广的应用领域。
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G3S06004J概述

直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):11A 正向压降(Vf):1.7V @ 4A

G3S06004J规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)600V
平均整流电流(Io)11A
正向压降(Vf)1.7V @ 4A
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