Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RN2404TE85LF

RN2404TE85LF: 产品描述transistor pnp S-mini; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小903KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN2404TE85LF概述

transistor pnp S-mini

RN2404TE85LF规格参数

参数名称	属性值
Datasheets
RN240(1-6)
Product Photos
SOT-23-3
Product Training Modules
General Purpose Discrete Items
Standard Package	3,000
Category	Discrete Semiconductor Products
Family	Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transiti	200MHz
Power - Max	200mW
Mounting Type	Surface Mou
封装 / 箱体 Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package	S-Mini
Dynamic Catalog	PNP Pre-biased Transistors
Other Names	RN2404(TE85L,F)RN2404TE85LFTR

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RN2401~RN2406

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN2401, RN2402, RN2403

RN2404, RN2405, RN2406

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

With built-in bias resistors

Simplified circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN1401 to 1406

Equivalent Circuit Bias Resistor Values

Type No.

RN2401

RN2402

RN2403

RN2404

RN2405

RN2406

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

JEDEC

TO-236MOD

JEITA

SC-59

TOSHIBA

2-3F1A

Weight:12mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2401 to 2406

RN2401 to 2404

RN2405, 2406

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

−50

−10

−5

−100

200

150

−55

to 150

Unit

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Start of commercial production

1983-06

2014-03-01

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