Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RN1907FE(T5L,F,T)

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RN1907FE(T5L,F,T): 产品描述tran dual npn es6 50v 100a; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小329KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN1907FE(T5L,F,T)概述

tran dual npn es6 50v 100a

RN1907FE(T5L,F,T)规格参数

参数名称	属性值
Datasheets
RN1907FE-09FE
Product Photos
SOT-563
Standard Package	4,000
Category	Discrete Semiconductor Products
Family	Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequency - Transiti	250MHz
Power - Max	100mW
Mounting Type	Surface Mou
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	ES6
Dynamic Catalog	NPN Pre-Biased Transistor Arrays
Other Names	RN1907FE(T5LFT)TR

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RN1907FE~RN1909FE

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN1907FE, RN1908FE, RN1909FE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and lowers assembly cost.

•

Complementary to RN2907FE to RN2909FE

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1907FE

RN1908FE

RN1909FE

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

2-2N1G

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

(Q1, Q2 common)

Characteristics

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1907FE

to 1909FE

RN1907FE

Emitter-base voltage

RN1908FE

RN1909FE

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1907FE

to 1909FE

(Note 1)

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

100

150

−55

to 150

°C

Unit

Weight: 0.003 g (typ.)

Equivalent Circuit

(top view)

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

Start of commercial production

2000-05

2014-03-01

RN1907FE(T5L,F,T)相似产品对比

	RN1907FE(T5L,F,T)	RN1908FE(TE85L,F)	RN1907FE,LF(CB	RN1909FE(TE85L,F)	RN1907FE(5LKYOCE,F
描述	tran dual npn es6 50v 100a	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Reach Compliance Code	-	unknown	-	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	-	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	-	80	-	70	80
元件数量	-	2	-	2	2
极性/信道类型	-	NPN	-	NPN	NPN
表面贴装	-	YES	-	YES	YES
晶体管元件材料	-	SILICON	-	SILICON	SILICON

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