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RN1910(T5L,F,T)

产品描述tran dual npn us6 50v 100a
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小283KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准  
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RN1910(T5L,F,T)概述

tran dual npn us6 50v 100a

RN1910(T5L,F,T)规格参数

参数名称属性值
Datasheets
RN1910-11
Product Photos
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Standard Package3,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列
Packaging
Tape & Reel (TR)
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Frequency - Transiti250MHz
Power - Max100mW
Mounting TypeSurface Mou
封装 / 箱体
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageUS6
Dynamic CatalogNPN Pre-Biased Transistor Arrays
Other NamesRN1910(T5LFT)TR

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RN1910,RN1911
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1910, RN1911
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2910 and RN2911
Unit: mm
Equivalent Circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characterisstic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
100
150
−55
to150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2J1A
Weight: 6.8 mg (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*: Total rating
Equivalent Circuit
(Top View)
Start of commercial production
1990-12
1
2014-03-01

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