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RN1910,LF(CT

产品描述TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小283KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1910,LF(CT概述

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

RN1910,LF(CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99

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RN1910,RN1911
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1910, RN1911
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2910 and RN2911
Unit: mm
Equivalent Circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characterisstic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
100
150
−55
to150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2J1A
Weight: 6.8 mg (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*: Total rating
Equivalent Circuit
(Top View)
Start of commercial production
1990-12
1
2014-03-01

RN1910,LF(CT相似产品对比

RN1910,LF(CT RN1910(T5L,F,T) RN1911(T5L,F,T) RN1911,LF(CT
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 tran dual npn us6 50v 100a TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 Small Signal Bipolar Transistor
设ACLK =TACLK=32768Hz,MCLK= SMCLK=DCOCLK=1.048576MHz,周期性取反P5.1……
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