DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA96,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 7277995516 |
包装说明 | FBGA, BGA96,9X16,32 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 2 |
最长访问时间 | 0.4 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 400 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR3 DRAM |
内存宽度 | 16 |
端子数量 | 96 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
最高工作温度 | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA96,9X16,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源 | 1.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
连续突发长度 | 8 |
最大待机电流 | 0.015 A |
最大压摆率 | 0.21 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
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