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V73CAG02168RCLJG6H

产品描述DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA96,
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文件大小2MB,共56页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准
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V73CAG02168RCLJG6H概述

DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA96,

V73CAG02168RCLJG6H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid7277995516
包装说明FBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL2
最长访问时间0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度8
JESD-30 代码R-PBGA-B96
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR3 DRAM
内存宽度16
端子数量96
字数134217728 words
字数代码128000000
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA96,9X16,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度8
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.21 mA
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

 
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