电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRFP153

产品描述34A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小868KB,共6页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFP153概述

34A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

IRFP153规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)34 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
D ts e t
aa h e
R c e t r lc r nc
o h se Ee to is
Ma u a t r dCo o e t
n fc u e
mp n n s
R c e tr b a d d c mp n ns ae
o h se rn e
o oet r
ma ua trd u ig ete dewaes
n fcue sn i r i/ fr
h
p rh s d f m te oiia s p l r
uc a e r
o h r n l u pi s
g
e
o R c e tr waes rce td f m
r o h se
fr e rae r
o
te oiia I. Al rce t n ae
h
r nl P
g
l e rai s r
o
d n wi tea p o a o teOC
o e t h p rv l f h
h
M.
P r aetse u igoiia fcoy
at r e td sn r n la tr
s
g
ts p o rmso R c e tr e eo e
e t rga
r o h se d v lp d
ts s lt n t g aa te p o u t
e t oui s o u rne
o
rd c
me t o e c e teOC d t s e t
es r x e d h
M aa h e.
Qu l yOv riw
ai
t
e ve
• IO- 0 1
S 90
•A 92 cr ct n
S 1 0 et ai
i
o
• Qu l e Ma ua trr Ls (
ai d
n fcues it QML MI- R -
) LP F
385
53
•C a sQ Mitr
ls
lay
i
•C a sVS a eL v l
ls
p c ee
• Qu l e S p l r Ls o D sr uos( L )
ai d u pi s it f it b tr QS D
e
i
•R c e trsacic l u pir oD A a d
o h se i
r ia s p l t L n
t
e
me t aln u t a dD A sa d r s
es lid sr n L tn ad .
y
R c e tr lcrnc , L i c mmi e t
o h se Ee t is L C s o
o
tdo
t
s p ligp o u t ta s t f c so r x e t-
u pyn rd cs h t ai y u tme e p ca
s
t n fr u lya daee u loto eoiial
i s o q ai n r q a t h s r n l
o
t
g
y
s p l db id sr ma ua trr.
u pi
e yn ut
y n fcues
T eoiia ma ua trr d ts e t c o a yn ti d c me t e e t tep r r n e
h r n l n fcue’ aa h e a c mp n ig hs o u n r cs h ef ma c
g
s
o
a ds e ic t n o teR c e tr n fcue v rino ti d vc . o h se Ee t n
n p c ai s f h o h se ma ua trd eso f hs e ie R c e tr lcr -
o
o
isg aa te tep r r n eo i s mio d co p o u t t teoiia OE s e ic -
c u rne s h ef ma c ft e c n u tr rd cs o h r n l M p c a
o
s
g
t n .T pc lv le aefr eee c p r o e o l. eti mii m o ma i m rt g
i s ‘y ia’ au s r o rfrn e up s s ny C r n nmu r xmu ai s
o
a
n
ma b b s do p o u t h rceiain d sg , i lt n o s mpetsig
y e a e n rd c c aa tr t , e in smuai , r a l e t .
z o
o
n
© 2 1 R cetr l t n s LC Al i t R sre 0 1 2 1
0 3 ohs E cr i , L . lRg s eevd 7 1 0 3
e e oc
h
T l r m r, l s v iw wrcl . m
o e n oe p ae it w . e c o
a
e
s
o ec

IRFP153相似产品对比

IRFP153 IRFP151 IRFP152 IRFP150
描述 34A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 40A, 60V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 34A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 40A, 100V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 34 A 40 A 34 A 40 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω 0.055 Ω 0.08 Ω 0.055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247 TO-247 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A 160 A 140 A 160 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
“简简单单DSP”系列学习活动——第四期中断结构学习
1、外围帧寄存器 2812将外围帧寄存器分为3个空间,分别是: 外围帧0:直接映射到CPU存储器总线 外围帧1:映射到32位外围总线 外围帧2:映射到16位外围总线,只允许16操作 这里所说的外围 ......
superwangyang 微控制器 MCU
Hercules DIY 设计——周计划提交!
经过前一轮活动的Hercules DIY创意大搜集(活动详情:https://bbs.eeworld.com.cn/TI/201303_Hercules/index.html),TI 工程师选出了下面几个网友提出的DIY方案,希望能根据提交的方案进行设计 ......
EEWORLD社区 微控制器 MCU
雅特力AT32F403A/407 系统复位方式介绍
复位 AT32F403A/407 支持三种复位形式,分别为系统复位、上电复位和备份区域复位。 系统复位 除了时钟控制器的 RCC_CTRLSTS 寄存器中的复位标志位和备份区域中的寄存器(见图 2-1 各电 ......
火辣西米秀 国产芯片交流
锂离子电池SOC的充电状态测量
本帖最后由 qwqwqw2088 于 2019-3-26 08:49 编辑 电池SOC定义为电池剩余电量的百分比,因此范围为0%至100%。由于SOC测量与汽车中的气体测量仪具有相同的目的,因此提供SOC测量的IC通 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
camera 驱动
我看到 camera驱动中有的带Pin驱动,有的不带,这个pin驱动是干嘛的。知道的告诉一下...
test12 嵌入式系统
运算放大器的输入输出电阻是怎样计算的?
我想问一下有没有讲解运放输入输出电阻的教程,推介一下的。因为像<<基于运算放大器和模拟集成电路>>的电路设计中的一些算运放电路的输入输出 电阻,搞不清楚,它是怎么算出来,比如下 ......
sunboy25 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2688  1516  2289  983  1333  35  57  47  59  5 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved