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对于一款包含了机密信息的电子设备来说,为了不让其落入错误的人的手中,自毁电路的存在就很有必要了。虽然在谍战影视作品中有所耳闻,但其体积似乎很难做到更加微小,且不便于远程销毁。好消息是,康奈尔大学的科学家们,刚刚开发出了一款超薄、且可响应特定无线电波的微型自毁电路。由VedGund带领的这支研究团队,打造了一片带有聚碳酸酯外壳的一种二氧化硅芯片。在蒸发测试后,其仅留下了125微米厚的...[详细]
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北京时间8月8日,美国贸易代表办公室正式公布对160亿美元中国商品加征25%关税清单,最终关税清单涵盖279种进口产品,将于8月23日正式生效。由于清单上包括中国产半导体产品,产品使用的许多基本芯片来自美国、韩国或中国台湾,加征关税将影响美国本土半导体企业,美国半导体行业协会(下简称SIA)已对这个决定表示失望。路透社8月8日报道,SIA总裁兼执行长纽佛(JohnNeuffer)...[详细]
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据韩国媒体报道,NVIDIA近日公开确认,代号安培“Ampere”的下一代GPU芯片将由韩国三星代工,采用其最新的7nmEUV极紫外工艺。NVIDIAGPU长年以来一直都是台积电独家代工,此番更换代工厂迅速引发关注,也引出了一个新的问题:NVIDIA是要彻底抛弃台积电而投入三星的怀抱吗?另外,在最新发布的RTX20Super系列...[详细]
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8月19日消息,据《科创板日报》报道,台积电旗下首座欧洲12吋厂将于8月20日举行动土典礼,该厂位于德国德累斯顿,预计导入28/22nm平面互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,以及16/12nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程,规划初期月产能约4万片。据了解,台积电董事长魏哲家将率团前往,包括上百名主管与员工。台积电在2023年8月8日董事会后和博...[详细]
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纳米电子与数字技术研发创新中心IMEC与楷登电子(美国Cadence公司)联合宣布,得益于双方的长期深入合作,业界首款3nm测试芯片成功流片。该项目采用极紫外光刻(EUV)技术,193浸没式(193i)光刻技术设计规则,以及Cadence®Innovus™设计实现系统和Genus™综合解决方案,旨在实现更为先进的3nm芯片设计。IMEC为测试芯片选择了业界通用的6...[详细]
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明阳电路发布业绩快报,公司2017年1-12月实现营业收入10.54亿元,同比增长29.15%;归属于上市公司股东的净利润1.17亿元,同比下降4.68%。 明阳电路表示,公司2017年营业收入同比2016年增幅较大的原因主要系九江明阳工厂产能持续释放及稳健发展,及高增值的多层板产品组合增加所致。报告期内归属于上市公司股东的净利润下降4.6836%,主要原因系2017年主要原材料价格上涨以...[详细]
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芯片工程师展示了一个高度专业化的行业如何使用NVIDIANeMo来定制大语言模型,以获得竞争优势。10月31日,NVIDIA发布的一篇研究论文描述了生成式AI如何助力芯片设计,后者是当今最复杂的工程工作之一。这项工作展示了高度专业化领域的公司如何利用内部数据训练大语言模型,从而开发提高生产力的AI助手。像半导体设计这样如此具有挑战性的工作并不多见。...[详细]
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北京时间5月13日凌晨消息,软银集团旗下芯片技术公司ARM周四公布报告称,该公司2021年的营收创下历史纪录。 ARM首席执行官雷内·哈斯(ReneHaas)在接受采访时表示,该公司的新芯片设计业务显示出了强劲的前景。 在软银集团将ARM出售给美国芯片制造商英伟达的交易由于监管障碍而流产之后,该集团现在计划让这家英国科技公司上市。 ARM开发用于设计芯片的基本蓝图,该公司周四...[详细]
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日本东洋经济(ToyoyKeizai)网站报导,日本代表性IT大厂NEC,进入21世纪后因找不到事业方向,营收减半,事业陆续切割结束,甚至在2018年1月底宣布第4次裁员,而到现在经营团队还难提出可靠愿景,相对于已经找到IT系统服务方向的同业富士通(Fujitsu),令人难对NEC前景乐观。 虽然NEC以脸部识别为核心的资安业务,在2017年底全球市场规模达500亿日圆(约4.6亿美元),...[详细]
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Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科锐正在推进从硅(Si)向碳化硅(SiC)的产业转型。为了满足日益增长的对于Cree开创性Wolfspeed技术的需求,以支持电动汽车(EV)、4G/5G通信和工业市场的不断增长,Cree于2019年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅(SiC)走廊。科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅(Si...[详细]
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中国,2013年5月10日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出首款采用全新封装技术的MDmesh™V超结MOSFET晶体管,新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。新的TO247-44针封装提供一个开关控制专用直接源极针脚,而传统封装...[详细]
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央广网南京7月3日消息(记者杨明姚东明)据中国之声《新闻和报纸摘要》报道,南京江北新区成立两年来,坚持高端定位,打造集成电路、新能源汽车等千亿级产业集群,成为区域产业升级的新引擎。在刚刚投产的上汽集团桥林基地,一辆辆新能源汽车整装待发。上汽集团南京依维柯汽车有限公司总经理杨军虎:在新能源汽车的生产,包括后续新能源汽车产品开发上面,我们会加足马力,这个基地今后也是我们新能源生产的基地。...[详细]
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横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体公布了按照美国通用会计准则(U.S.GAAP)编制的截至2020年3月28日的第一季度财报。本新闻稿还包含非美国通用会计准则财务数据。意法半导体公布第一季度净营收22.3亿美元,毛利率37.9%,营业利润率10.4%,净利润1.92亿美元,每股摊薄收益0.21美元。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-MarcChery评论第...[详细]
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2020年8月4日,国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》(下称“《若干政策》”),大力支持集成电路产业和软件产业的高质量发展,体现了国家大力发展集成电路和软件产业的决心和意志。 《若干政策》强调,集成电路产业和软件产业是信息产业的核心,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。《若干政策》提出,为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境,深化产业国际合作...[详细]
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几十年来,硅(Si)一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件,无处不在。然而,随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展,硅的局限性变得越来越明显。随着行业不断探索解决方案,宽禁带(WBG)材料,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄,为1.1电子伏特(eV),而SiC和GaN的禁...[详细]