Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RN2910FE,LF(CT

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RN2910FE,LF(CT: 产品描述trans prebias 2pnp 50v 100mw es6; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小284KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN2910FE,LF(CT概述

trans prebias 2pnp 50v 100mw es6

RN2910FE,LF(CT规格参数

参数名称	属性值
Datasheets
RN2910FE-11FE
Standard Package	4,000
Category	Discrete Semiconductor Products
Family	Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequency - Transiti	200MHz
Power - Max	100mW
Mounting Type	Surface Mou
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	ES6
Other Names	RN2910FE,LF(CBRN2910FELF(CTTR

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RN2910FE,RN2911FE

TOSHIBA Transistor

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2910FE, RN2911FE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and lowers assembly cost.

Complementary to RN1910FE, RN1911FE

Unit: mm

Equivalent Circuit

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

2-2N1G

Weight: 0.003g (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

(Q1, Q2 common)

Equivalent Circuit

Symbol

CBO

CEO

EBO

(Note 1)

stg

Rating

−50

−5

−100

100

150

−55

to 150

Unit

°C

Characteristics

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

(top view)

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability

Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.

reliability test report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

Start of commercial production

2000-05

2014-03-01

RN2910FE,LF(CT相似产品对比

	RN2910FE,LF(CT	RN2910FE(T5L,F,T)	RN2910FE,LF(CB	RN2911FE(TE85L,F)
描述	trans prebias 2pnp 50v 100mw es6	tran dual pnp es6 -50v -100a	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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