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V54C3512804VKI7I

产品描述Synchronous DRAM,
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文件大小795KB,共51页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V54C3512804VKI7I概述

Synchronous DRAM,

V54C3512804VKI7I规格参数

参数名称属性值
Objectid8309607236
包装说明TSOP2,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL4
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
长度22.38 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

 
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