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KST24MTF

产品描述transistor npn 30v 100ma sot-23
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KST24MTF概述

transistor npn 30v 100ma sot-23

KST24MTF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量0.36 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)620 MHz
Base Number Matches1

KST24MTF相似产品对比

KST24MTF
描述 transistor npn 30v 100ma sot-23
是否Rohs认证 符合
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
基于收集器的最大容量 0.36 pF
集电极-发射极最大电压 30 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 620 MHz
Base Number Matches 1

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