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K4H510838J-BICCT

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60
产品类别存储    存储   
文件大小674KB,共27页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K4H510838J-BICCT概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60

K4H510838J-BICCT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1124625047
包装说明BGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e3
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR1 DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA60,9X12,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

 
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