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IS25LP128F-QGLE

产品描述Flash Memory,
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共180页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS25LP128F-QGLE概述

Flash Memory,

IS25LP128F-QGLE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8311617398
包装说明TBGA,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码EAR99
YTEOL5.7
其他特性ALSO OPERATES WITH 133MHZ @ 2.3VMIN SUPPLY
备用内存宽度1
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B24
长度8 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA24,4X6,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00007 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型NOR TYPE
宽度6 mm
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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