Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 240 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.28 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRF9Z24STRRPBF | 51760-10908803BA | IRF9Z24SPBF | IRF9Z24LPBF | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Board Connector, Female, Right Angle, Solder Terminal, Guide Pin, Receptacle | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | - | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| 针数 | 3 | - | 3 | 3 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | - | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 240 mJ | - | 240 mJ | 240 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | - | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A | - | 11 A | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.28 Ω | - | 0.28 Ω | 0.28 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | - | 2 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | - | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A | - | 44 A | 44 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | - | YES | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL | - | MATTE TIN OVER NICKEL | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | 30 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON |
| 最高工作温度 | - | 105 °C | 175 °C | 175 °C |
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