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IRF9Z24SPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共10页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF9Z24SPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRF9Z24SPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)240 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.28 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD-95989
IRF9Z24SPbF
IRF9Z24LPbF
•
Lead-Free
www.irf.com
1
06/08/05

IRF9Z24SPBF相似产品对比

IRF9Z24SPBF IRF9Z24STRRPBF 51760-10908803BA IRF9Z24LPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 Board Connector, Female, Right Angle, Solder Terminal, Guide Pin, Receptacle Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) - International Rectifier ( Infineon )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
针数 3 3 - 3
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY - AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 240 mJ 240 mJ - 240 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN - DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V - 60 V
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A - 11 A
最大漏源导通电阻 0.28 Ω 0.28 Ω - 0.28 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 - R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e3 - e3
湿度敏感等级 1 1 - 1
元件数量 1 1 - 1
端子数量 2 2 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C - 105 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL - P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 44 A 44 A - 44 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES YES - NO
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL - Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING GULL WING - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 40
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晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
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