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SHD285808SV

产品描述Power Field-Effect Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小328KB,共3页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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SHD285808SV概述

Power Field-Effect Transistor,

SHD285808SV规格参数

参数名称属性值
Objectid8338686146
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginUSA
ECCN代码EAR99
YTEOL6.12
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)170 pF
JESD-30 代码R-MBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
参考标准MIL-19500
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)160 ns
最大开启时间(吨)125 ns

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 5550, Rev -
SHD285808
HERMETIC POWER MOSFET
P-CHANNEL
FEATURES:
200 Volt, 0.1 Ohm, 40A P Channel MOSFET
SMD-2 Hermetic Metal Package
Fast Switching
Low R
DS (on)
Rohs Compliant Option – For Rohs compliance, use suffix -G
MAXIMUM RATINGS
ALL RATINGS ARE AT T
C
= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.
SYMBOL
V
GS
I
D (25)
I
DM
T
J
/T
STG
P
D
MIN.
-
-
-
-55
-
TYP.
-
-
-
-
-
MAX.
20
- 40
- 120
+150
300
UNITS
Volts
Amps
Amps
C
Watts
RATING
GATE TO SOURCE VOLTAGE
ON-STATE DRAIN CURRENT
PULSED DRAIN CURRENT
@ T
C
= 25C
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE
TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T
C
= 25C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE
V
GS
= 0V, I
D
= - 0.25mA
STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE
V
GS
= - 10V, I
D
= 0.5I
D25
GATE THRESHOLD VOLTAGE V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250A
FORWARD TRANSCONDUCTANCE
V
DS
= - 10V; I
D
= 0.5I
D25
ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V, T
J
= 125C
GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD
V
GS
= 20V
GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE
V
GS
= -20V
TURN ON DELAY TIME
V
DS
= 0.5V
DSS’,
RISE TIME
I
D
= 0.5I
D25,
TURN OFF DELAY TIME
R
G
= 2,
FALL TIME
V
GS
= - 10V
DIODE FORWARD VOLTAGE
I
F
= - 24A
V
GS
= 0V
Pulse test, t
300
s,
duty cycle d
2 %
REVERSE RECOVERY TIME
REVERSE RECOVERY CHARGE
I
F
= - 24A,
V
GS
= 0V, di/dt = 100A/sec, V
R
= 100V
INPUT CAPACITANCE
V
GS
= 0 V
OUTPUT CAPACITANCE
V
DS
= - 25 V
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
f = 1MHz
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
BV
DSS
R
DS(ON)
V
GS(th)
g
fs
- 200
-
-
Volts
Volts
S(1/)
μA
nA
-
- 2.0
-
0.09
-
22
0.105
- 4.0
-
I
DSS
I
GSS
t
d(ON)
t
r
t
d(OFF)
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
iss
C
oss
C
rss
R
thJC
-
-
-
-
-
30
46
67
27
-
260
4.2
5400
1540
170
-
-
-
- 25
- 200
100
-100
50
75
110
50
- 3.3
400
nsec
Volts
nsec
μC
-
-
pF
0.42
C/W
-
2019
Sensitron Semiconductor PH (631) 586-7600
FAX (631) 242-9798
www.sensitron.com
sales@sensitron.com

 
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