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SE20N110

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小368KB,共6页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE20N110概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道

SE20N110规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)110A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻5.5mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)90W
类型N沟道

参考设计

ip5328p v2
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