电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IS61NLF204836B-6.5B3LI

产品描述ZBT SRAM, 2MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共38页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IS61NLF204836B-6.5B3LI概述

ZBT SRAM, 2MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-165

IS61NLF204836B-6.5B3LI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1252097969
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码3A991.B.2.A
YTEOL6.52
最长访问时间6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 206  852  1009  1037  1063 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved