电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IRFU120A

产品描述Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小276KB,共6页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFU120A概述

Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

IRFU120A规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)141 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8.4 A
最大漏极电流 (ID)8.4 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)32 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)34 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFU120A相似产品对比

IRFU120A IRFR120A
描述 Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 141 mJ 141 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8.4 A 8.4 A
最大漏极电流 (ID) 8.4 A 8.4 A
最大漏源导通电阻 0.2 Ω 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 32 W 32 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 34 A 34 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
EEWORLD大学堂----micro bit入门应用视频教程
micro bit入门应用视频教程:https://training.eeworld.com.cn/course/26682micro bit入门应用视频教程--向金老师原创...
桂花蒸 单片机
E2PROM的VDD和上拉电压可以不同吗
像这种芯片,可以使用不同的电压上拉吗,比如此图VDD=+5V,而用+3.3V上啦...
快奔死了 模拟电子
赚分帖~~~
0...
niyuping2007 嵌入式系统
有没有用过义隆的大神,求助
我用带LCD驱动的EM78P468N来做了一个带LCD段码屏显示的喷香机,老板让我用睡眠模式写,我同时设置了WDT唤醒和管脚唤醒(管脚唤醒是因为有按键要设置时间等参数),但是每次唤醒之后LCD屏就会闪烁,有大神知道为什么吗...
EM78P153 单片机
IntPrioritySet( )和IntPriorityGroupingSet( )有什么区别
函数 IntPriorityGroupingSet( )和 IntPriorityGroupingGet( )用来管理抢占式优先级和子优先级的分组设置函数 IntPrioritySet( )和 IntPriorityGet( )用来管理一个片内外设的优先级两者有什么区别具体怎么用?...
heningbo 微控制器 MCU
关于付费提问的建议
1、付费提问存在的可行性。在论坛里提问时,如同现实中一样,都能“解惑”。对回复者,也是付出了精力的。付费提问,也是对积极回复者的劳动成果的确认,也是一种奖赏。2、付费提问的付费方式可以使用芯币,也可以使用E金币。3、付费提问的操作提问者悬赏某个数额的芯币或E金币,当得到回答时,可以根据回答的帖子的质量作评判,并对回复者付费。当多人回复且有一个以上有参考价值的回复时,可以将所悬赏的芯币或E金币分别给...
dontium 为我们提建议&公告

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 33  54  1116  1260  1551 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved