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305URA80P4PBF

产品描述330A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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305URA80P4PBF概述

330A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB

305URA80P4PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-CUPM-X1
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
应用HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-205AB
JESD-30 代码O-CUPM-X1
最大非重复峰值正向电流8640 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度180 °C
最大输出电流330 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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Bulletin I2032 rev. A 12/94
301U(R) SERIES
STANDARD RECOVERY DIODES
Stud Version
Features
Wide current range
High voltage ratings up to 2500V
High surge current capabilities
Stud cathode and stud anode version
300A
TypicalApplications
Converters
Power supplies
Machine tool controls
High power drives
Medium traction applications
Major Ratings and Characteristics
301U(R)
Parameters
I
F(AV)
@ T
C
I
F(RMS)
I
FSM
@ 50Hz
@ 60Hz
I
2
t
@ 50Hz
@ 60Hz
V
RRM
range
T
J
80 to 200
330
120
520
8250
8640
340
311
800 to 2000
- 40 to 180
250
300
120
470
6050
6335
183
167
2500
- 40 to 180
Units
A
°C
A
A
A
KA
2
s
KA
2
s
V
°C
case style
DO-205AB (DO-9)
www.irf.com
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