EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, MOS, CQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 65536 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 16 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 切换位 | NO |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8683006YA | 5962-8683007XA | 5962-8683004YA | 5962-8683003XA | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, MOS, CQCC32 | EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, MOS, CDIP28 | EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, NMOS, 0.560 X 0.458 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-32 | EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, 1.490 X 0.610 INCH, 0.232 INCH HEIGHT, DIP-28 |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, | DIP, |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 250 ns | 350 ns | 250 ns | 300 ns |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N32 | R-XDIP-T28 |
| 内存密度 | 65536 bi | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 32 | 28 | 32 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | QCCN | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | NO |
| 技术 | MOS | MOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | QUAD | DUAL |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 1 ms | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 厂商名称 | - | Defense Logistics Agency | Defense Logistics Agency | Defense Logistics Agency |
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